[发明专利]一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法在审
申请号: | 201710017223.2 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN107195895A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 包健;范美强;田光磊 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/46;H01M10/0525;C01B33/023;C01B3/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合金 还原剂 基材 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种电极材料的制备方法,具体涉及一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法。
背景技术
硅储量丰富、储锂容量高,是非常有应用前景的锂离子电池负极材料。但单质硅存在导电性能差,与锂结合后体积膨胀大而使活性物质从电极表面脱落等问题,制约了硅电极材料的推广和应用。目前,科研人员采用导电性好、比表面积大的金属、碳材料和聚合物表面包覆硅,一定程度提高了硅电极材料的电化学性能。
Magasinski[Magasinski A,Dixon P,Hertzberg B,Kvit A,Ayala J,YushinG.Nat.Mater.,2010,9(4):353-358.]热处理炭黑,采用CVD法将纳米硅沉积炭黑表面,获得硅碳复合材料。该材料显示较好的电化学性能。Kummer[Kummer M,Badillo JP,Schmitz A.J Electrochem Soc,2014,161(1):A40-A45.]等制备n-S i/P A N i复合材料,该材料显示较好的导电性、柔韧性,有效压制硅在充放电循环中的体积变化。Wang[Wang X,Wen Z,Liu Y,Wu X.Electrochim.Acta,2009,54(20):4662-4667.]等采用机械球磨法复合锂、氧化硅、氧化锡和石墨,获得Si-Sn-Li4SiO4/C复合材料。该材料100次循环后的容量大于600mAh/g。目前,现有的硅基材料制备工艺存在一定的缺陷。采用机械球磨法制备硅基材料,无法有效实现成分均匀分散;而采用CVD法制备成本太高,高温热还原氧化硅的操作温度高于700℃,能耗太大。
发明内容
本发明目的在于提供一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法,克服现有制备技术的缺陷,提高硅电极材料的电化学性能。为实现上述发明目的,本发明的技术方案是:硅基材料以二氧化硅为前驱体,机械混合合金还原剂和低熔点盐、压块,然后在真空或惰性气氛、150~600℃烧结2~10h;然后盐酸洗涤、水洗,烘干获得硅基材料;二氧化硅为MCM-41,MCM-48,MCM-50,SBA-15的一种;合金还原剂为镁合金和铝合金的一种;镁合金为镁铝、镁锂、镁钙、镁钠的一种;铝合金为铝钠、铝锂、铝钙、铝钾的一种;低熔点盐为氯化铝、溴化铝、氯化锌、溴化锌的一种;合金与二氧化硅的摩尔比2~4;低熔点盐与二氧化硅的摩尔比为3~10;一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法包括:
1)称量一定质量的合金粉、二氧化硅和低熔点盐,氩气气氛机械球磨1~40h;
其中,合金粉的颗粒尺寸为10纳米~100微米;
2)将步骤1)的产物压制成块,压力范围为2~40吨;
3)将步骤2)的产物放入密闭容器,惰性气氛或真空150~600℃搁置2~10h;然后冷却、粉碎;
4)将步骤3)的产物倒入过量盐酸,处理2~10h;过滤分离、洗涤烘干,获得硅基材料。
本发明提供的硅基材料制备方法,与其它负极材料制备方法相比,具有如下优点:
1)本发明工艺简单、操作方便,有利于工业化生产。
2)采用合金还原剂、低熔点盐与二氧化硅反应,极大降低二氧化硅被还原的温度,降低能耗;
3)本发明专利制备的硅基材料,可直接作为锂离子电池负极材料,也可作中间体进一步处理制备负极材料,也可用于制氢材料,在锂离子电池和便携式氢源等领域具有很好的应用前景。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效,兹举以下实施例,并详细说明如下:
实施例1
一种硅基材料的成分设计为:
MCM-41,1g;镁铝合金,1g;AlCl3,8g;
MCM-41,1g;镁锂合金,1g;AlCl3,8g;
MCM-41,1g;铝钙合金,1g;AlCl3,8g;
一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法包括:
1)称量一定质量的合金粉、二氧化硅和氯化铝,氩气气氛机械球磨10h;
其中,合金粉的颗粒尺寸为10纳米~100微米;
2)将步骤1)的产物压制成块,压力范围为10吨;
3)将步骤2)的产物放入密闭容器,惰性气氛或真空300℃搁置5h;然后冷却、粉碎;
4)将步骤3)的产物倒入过量盐酸,处理5h;过滤分离、洗涤烘干,获得硅基材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量大学,未经中国计量大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710017223.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。