[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201710017356.X | 申请日: | 2017-01-11 |
公开(公告)号: | CN107039542B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 李洪哲;李承允;池光善;崔珉浩 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/054 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括:晶体半导体基板,该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质;前掺杂层,该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上;后掺杂层,该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上;前透明导电层,该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度;前收集器电极,该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上;后透明导电层,该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度;以及后收集器电极,该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同,并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池,并且更具体地,涉及异质结太阳能电池。
背景技术
近来,为了提高太阳能电池的效率,已经在开展关于异质结太阳能电池的研究。代表性的异质结太阳能电池包括使用本征非晶硅(i-a-Si)作为钝化层的太阳能电池和使用薄隧穿氧化物(tunnel oxide)层作为钝化层的太阳能电池。
异质结太阳能电池形成在太阳能电池的半导体基板的前表面和后表面上,并且包含执行光学功能(例如,抗反射层和反射层的功能)和电功能(例如,与金属电极的接触功能)的透明导电氧化物(TCO)层。
发明内容
本发明的目的是提供一种高效的太阳能电池。
在一个方面,提供了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:晶体半导体基板,该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质;前掺杂层,该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上;后掺杂层,该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上;前透明导电层,该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度;前收集器电极(collectorelectrode),该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上;后透明导电层,该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度;以及后收集器电极,该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同,并且所述前透明导电层的薄膜电阻(sheet resistance)小于所述后透明导电层的薄膜电阻。
在本发明的实施方式中,所述前透明导电层和所述后透明导电层可以由相同的材料形成,例如,所述前透明导电层和所述后透明导电层可以由如下的层形成:包含氧化铟(In2O3)作为主要成分并且包含锡(Sn)、锌(Zn)、钨(W)、铈(Ce)或氢(H)作为杂质的层;或者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛(Ti)和钽(Ta)中的至少一种作为杂质的层;或者包含氧化锌(ZnO)作为主要成分并且包含铝(Al)、硼(B)或镓(Ga)作为杂质的层;或者包含氧化锡(SnO2)作为主要成分并且包含氟(F)作为杂质的层。
在此情形下,“相同的材料”是指具有彼此相同的主要成分和杂质的材料,并且其中包含不同类型的杂质的材料与相同的材料不对应。
另选地,所述前透明导电层和所述后透明导电层可以由不同的材料形成。
在本发明的实施方式中,所述后透明导电层的氧含量可以大于所述前透明导电层的氧含量。
根据该配置,由于氧含量比后透明导电层的氧含量小的前透明导电层被形成为具有比后透明导电层的薄膜电阻低的薄膜电阻,因此虽然减小前收集器电极的尺寸(宽度等)以减小由于前收集器电极而导致的遮蔽损失(shading loss),但是前透明导电层也能够传送电荷。
由于氧含量比前透明导电层的氧含量相对更大的后透明导电层被形成为具有比前透明导电层小的吸光率,因此后透明导电层中所吸收的光的量能够减少。
在本发明的实施方式中,太阳能电池可以是双面太阳能电池或单面太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的