[发明专利]基板处理系统和方法有效
申请号: | 201710017381.8 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN106847736B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | T·佩德森;H·希斯尔迈尔;M·春;V·普拉巴卡;B·阿迪博;T·布卢克 | 申请(专利权)人: | 因特瓦克公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/68;H01L31/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 | ||
本发明涉及一种基板处理系统和方法。具体地,一种用于处理基板的系统具有真空外壳和定位成处理在真空外壳内部的处理区中的晶片的处理室。提供两个轨道组件,一个轨道组件在处理区的每侧上。两个卡盘阵列每个在轨道组件之一骑行上,使得每个卡盘阵列在一个轨道组件上悬臂式伸展并支撑多个卡盘。轨道组件耦合到升高机构,其将轨道放置在用于处理的较高的位置上以及放置在用于返回卡盘组件的较低的位置处用于装载新晶片。拾取头组件将晶片从输送机装载到卡盘组件上。拾取头具有从晶片的正侧拾取晶片的多个静电卡盘。在处理卡盘中的冷却通道用于产生气垫以在由拾取头输送时帮助使晶片对齐。
本申请为分案申请,其原申请是于2014年6月11日(国际申请日为2012年11月8日)向中国专利局提交的专利申请,申请号为201280061122.0,发明名称为“基板处理系统和方法”。
相关案子
本申请要求2011年11月8日提交的美国临时申请序列号61/557363的优先权利益,该临时申请的公开文本通过引用被全部并入本文。
技术领域
本申请涉及用于基板处理,例如硅基板处理以形成半导体电路、太阳能电池、平板显示器等的系统和方法。
背景技术
基板处理系统在本领域中是公知的。基板处理系统的例子包括溅射和离子注入系统。虽然在很多这样的系统中基板在处理期间是静止的,这样的静止系统在满足对高吞吐量处理的最近要求方面有困难。高吞吐量处理对处理基板(例如太阳能电池)特别严格。因此,需要新的系统架构来满足这个要求。
发明内容
包括本发明的下列概述,以便提供对本发明的一些方面和特征的基本理解。该概述不是本发明的广泛概述,且因此它并不打算特别标识本发明的关键或重要元件或描绘本发明的范围。它的唯一目的是以简化的形式介绍本发明的一些概念作为下面介绍的更详细的描述的序言。
在本文公开的是实现基板的高吞吐量处理的处理系统和方法。一个实施例提供一种系统,其中基板在处理系统(例如溅射目标或离子注入束)的前面连续移动。在处理系统的前面行进期间,基板以一个速度移动,而在来/往装载和卸载位置行进期间,基板以比第一速度高得多的第二速度移动。这实现系统的总高吞吐量。
各种所公开的实施例提供用于使用两个卡盘(chuck)阵列来处理基板(例如离子注入)的真空处理系统。在所述实施例中,每个卡盘阵列具有位于每个阵列上的静电卡盘上的两行晶片,但其它实施例可使用一行或多行。将阵列安装在室的相对侧上,使得它们可每个都具有晶片/气体连接和电连接,而不干扰另一阵列的操作。在每个阵列上使用至少两行实现连续的处理,即,处理室的连续利用而没有闲置时间。例如,通过使用两行用于离子注入,离子束可总是被保持在一个卡盘阵列上,同时另一阵列被卸载/装载并在经处理的阵列离开束之前返回到处理位置。
在所公开的实施例中,同时装载在卡盘阵列上的所有晶片。晶片成排地来自装载锁,几个晶片并列,例如三个晶片并列。当两行存在于进入的输送机上时,晶片被升高到拾取和放置机构。在一个实施例中,拾取和放置机构使用静电卡盘来保持晶片,但也可使用其它机构(例如真空装置)。系统可以可选地包括用于使用正确的对齐将晶片定位在卡盘上的动态晶片定位机构以确保处理与晶片对齐。例如,当执行离子注入时,对齐确保注入特征垂直于或平行于晶片边缘。
在一个实施例中,卡盘阵列具有用于在装配期间确保行进的方向平行于处理室(例如平行于注入掩模特征)的手动对齐特征。在一个例子中,首先通过使用在掩模位置处的照相机和阵列上的特征将卡盘阵列与注入掩模对齐。然后通过将具有精确对齐特征的对齐晶片从输入输送机输送到卡盘阵列来将在拾取和放置机构上的每个头与掩模对齐。阵列接着在掩模对齐照相机之下移动,且确定对齐晶片的角位移。这个角位移接着用于调节拾取和放置头。步骤重复,直到对齐是令人满意的为止。这些步骤建立固定的对齐。它们在晶片处理期间没有被系统动态地控制和改变。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造