[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括步骤：

在衬底上形成蚀刻目标层，所述衬底包括单元区和外围区；

在蚀刻目标层上形成多个第一图案和初级图案，所述多个第一图案形成在单元区上，所述多个第一图案中的每一个具有第一宽度，并且初级图案形成在外围区上；

在所述多个第一图案和所述初级图案上共形地形成间隔件层；

在间隔件层上形成多个第一掩模图案，所述多个第一掩模图案中的第一个形成在单元区上，并且所述多个第一掩模图案中的第二个和第三个位于外围区上并暴露出间隔件层的一些部分；

利用所述多个第一掩模图案作为蚀刻掩模对外围区上的间隔件层和初级图案进行蚀刻，以在外围区上形成多个第二图案；

在所述多个第一图案和所述多个第二图案上形成第一层；

抛光第一层和间隔件层直至暴露出所述多个第一图案和所述多个第二图案的顶表面，以在单元区上形成多个第三图案和多个间隔件；以及

各向异性地蚀刻所述多个间隔件，以形成暴露出所述多个第一图案和所述多个第三图案的侧表面的多个开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个第一图案和初级图案的步骤包括：

在蚀刻目标层上形成蚀刻停止层；

在蚀刻停止层上形成第二层和抛光停止层；

在抛光停止层上形成多个第二掩模图案，所述多个第二掩模图案中的第一个和第二个形成在单元区上并暴露出单元区上的抛光停止层的一些部分，并且所述多个第二掩模图案中的第三个覆盖外围区上的抛光停止层；以及

利用所述多个第二掩模图案作为蚀刻掩模对抛光停止层和第二层进行蚀刻以形成所述多个第一图案和初级图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个第二掩模图案彼此间隔开的距离为第一宽度的三倍，并且所述多个第二掩模图案中的每一个具有在一方向上延伸的线形。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，第二层包括以实质上等于第一层的蚀刻率的蚀刻率进行蚀刻的材料。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，第二层包括与第一层实质上相同的材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一掩模图案包括以实质上等于初级图案的蚀刻率的蚀刻率进行蚀刻的材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个第一掩模图案包括光致抗蚀剂，并且初级图案包括旋涂硬掩模材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一掩模图案包括与初级图案实质上相同的材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，间隔件层形成为具有实质上等于第一宽度的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第二图案中的每一个具有大于第一宽度的第二宽度。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

利用所述多个第一图案和所述多个第三图案作为蚀刻掩模对单元区上的蚀刻目标层进行蚀刻，以形成目标图案。