[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有鳍的半导体衬底；

与鳍相交的栅极以及位于栅极两侧的鳍内的源区和漏区；

分别在源区和漏区处形成且与源区和漏区相接触的金属硅化物；

其中在所述金属硅化物与源区、漏区接触的界面处存在能够降低金属硅化物与源区、漏区之间的肖特基势垒高度的杂质掺杂物。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述杂质掺杂物包括选自以下组中的至少一个：C、Ge、N、P、As、O、S、Se、Te、F、Cl。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述栅极包括高K栅介质和金属栅导体。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述金属硅化物包括硅化钛。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述源区和漏区包括n型掺杂的硅。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成鳍；

形成与鳍相交的栅极；

在栅极两侧的鳍内形成源区和漏区；

在鳍上沉积电介质；

刻蚀电介质以分别在源区和漏区上方形成接触沟槽，从而露出源区和漏区的至少部分上表面；

通过接触沟槽对露出的至少部分上表面进行非晶化处理；

通过接触沟槽对露出的至少部分上表面进行杂质掺杂物注入；

在杂质掺杂物注入之后，在接触沟槽中沉积金属，并且执行退火以形成金属硅化物；

其中杂质掺杂物能够降低金属硅化物与源区、漏区之间的肖特基势垒高度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在退火期间，注入的杂质掺杂物在金属硅化物与源区、漏区的界面处析出，从而降低金属硅化物与源区、漏区之间的肖特基势垒高度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述析出的杂质掺杂物选自以下组中的任何一个：C、Ge、N、P、As、O、S、Se、Te、F、Cl。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述栅极包括高K栅介质和金属栅导体。

10.根据权利要求6所述的方法，其中

所沉积的金属包括Ti/TiN，所述金属硅化物包括硅化钛。

11.根据权利要求6所述的方法，其中

所述源区和漏区包括n型掺杂的硅。

12.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述退火包括快速热退火、激光退火和/或动态表面退火。

13.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述非晶化处理包括：进行锗注入。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在接触沟槽内沉积钨(W)以在Ti/TiN上形成钨层；

进行CMP以使钨层的上表面平坦化。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，

在非晶化处理后形成的非晶硅区的深度小于等于10nm。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，

将所述杂质掺杂物注入到非晶硅区中。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，

注入的大多数杂质掺杂物被约束在非晶硅区中。

18.根据权利要求15所述的方法，还包括：在退火期间，至少一部分非晶硅重新生长为晶体硅。

19.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在退火之后，非晶硅通过与所沉积的金属反应和/或固态相外延重新生长(SPER)而消失。

20.根据权利要求6或16所述的方法，其中，进行杂质掺杂物注入的注入能量在0.5keV至5keV之间。