[发明专利]执行锤刷新操作的存储器设备和包括其的存储器系统

说明书

一种存储器设备，包括存储器组、行选择电路和刷新控制器。存储器组包括多个存储器块，并且每个存储器块包括以行和列布置的多个存储器单元。所述行选择电路相对于存储器组执行访问操作，并相对于物理上与被密集地访问的行相邻的行执行锤刷新操作。所述刷新控制器控制所述行选择电路，以使得在访问操作的行激活时间期间执行所述锤刷新操作。可以有效地执行锤刷新操作，并且可以在访问操作的行激活时间期间执行锤刷新操作来增强存储器设备的性能。

相关申请的交叉引用

该美国非临时性专利申请根据U.S.C.35§119要求于2016年1月25日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2016-0008442的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

示例实施例一般涉及半导体集成电路，更具体地，涉及执行锤刷新操作的存储器设备和包括该存储器设备的存储器系统。

背景技术

用于存储数据的半导体存储器设备可以分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。易失性存储器设备，例如动态随机存取存储器(DRAM)设备，可被配置为通过对存储器单元中的电容器充电或放电来存储数据，且在断电时丢失所存储的数据。非易失性存储器设备，例如闪存设备，即使在断电时也可以保持所存储的数据。易失性存储器设备广泛地用作各种装置的主存储器，非易失性存储器设备广泛地用于在诸如计算机、移动设备等的各种电子设备中存储程序代码和/或数据。

在易失性存储器设备中，在存储器单元中存储的单元电荷(cell charge)可能由于泄漏电流而丢失。此外，当字线频繁地在活动状态和预充电状态之间转换时(即，当密集地或频繁地访问字线时)，连接到与被频繁地访问的字线相邻的字线的受影响的存储器单元可能丢失所存储的电荷。在数据由于电池电荷的泄漏而丢失之前，可以通过再充电来维持在存储器单元中存储的电荷。单元电荷的这种再充电被称为刷新操作，并且在单元电荷显著丢失之前可以重复执行刷新操作。

发明内容

一些示例实施例可以提供一种能够有效地执行与被密集地访问的锤地址相关联的锤刷新操作的存储器设备。

根据一些实施例，本公开涉及一种存储器设备，其包括：存储器组(bank)，包括多个存储器块，每个存储器块包括以行和列布置的多个存储器单元；映射电路，被配置为接收标识已被密集地访问的存储器组的第一字线的锤地址，并输出标识与第一字线物理相邻的存储器组的第二字线的锤刷新地址；行选择电路，被配置为激活存储器组的第三字线作为连接到第三字线的存储器单元的访问操作的一部分，并且相对于第二字线并发地执行锤刷新操作；以及刷新控制器，被配置为控制行选择电路，以使得在访问操作的行激活时间期间执行锤刷新操作。

根据另外的实施例，本公开涉及一种存储器系统，其包括：存储器设备；以及被配置为控制存储器设备的存储控制器，所述存储器设备包括：包括多个存储块的存储器组，每个存储块包括以行和列布置的多个存储单元；映射电路，被配置为接收标识被密集地访问的存储器组的第一字线的锤地址，并输出标识与第一字线物理相邻的存储器组的第二字线的锤刷新地址；行选择电路，被配置为激活存储器组的第三字线作为连接到第三字线的存储器单元的访问操作的一部分，并相对于第二字线并发地执行锤刷新操作；以及刷新控制器，被配置为控制行选择电路，以使得在访问操作的行激活时间期间执行锤刷新操作。

在另外的实施例中，本公开涉及一种存储器设备，其包括：包括多个存储器块的存储器组；映射电路，被配置为接收标识被密集地访问的存储器组的第一字线的锤地址，并输出标识与第一字线物理相邻的存储器组的第二字线的锤刷新地址的映射电路；行选择电路，被配置为接收识别存储器组的第三字线的行地址，激活第三字线作为连接到第三字线的存储器单元的访问操作的一部分，并相对于第二字线并发地执行锤刷新操作；以及刷新控制器，被配置为控制行选择电路，以使得在访问操作的行激活时间期间执行锤刷新操作，其中刷新控制器被配置为确定存储器组的第一字线何时被密集地访问。

附图说明