[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710017972.5 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106960870B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 金辅淳;金炫知;李正允;朴起宽;朴商德;吴怜默;李庸硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
基底，包括第一区域和第二区域；
第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；
第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；
第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；
第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；
第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；
第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；
第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；以及
第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上，
其中，第一栅电极还包括第一下栅电极和设置在第一下栅电极上的第一上栅电极，并且
其中，第一金属氧化物膜设置在第一下栅电极内并且与第一栅极绝缘膜分隔开。
2.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
基底，包括第一区域和第二区域；
第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；
第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；
第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；
第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；
第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；
第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；
第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；以及
第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上，
其中，第一栅电极还包括第一下栅电极和设置在第一下栅电极上的第一上栅电极，
其中，第一金属氧化物膜包括彼此分隔开的第一上金属氧化物膜和第一下金属氧化物膜，并且
其中，第一下金属氧化物膜位于第一下栅电极与第一栅极绝缘膜之间的边界中。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一栅极间隔件限定第一沟槽，
第一下栅电极围绕第一栅极绝缘膜并且沿着第一沟槽的侧壁延伸，第一上栅电极填充第一沟槽。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一金属氧化物膜位于第一下栅电极与第一上栅电极之间的边界中。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一金属氧化物膜与第一上栅电极分隔开。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第二栅极间隔件限定第二沟槽，
第二栅电极包括第二下栅电极和第二上栅电极，第二下栅电极围绕第二栅极绝缘膜并且沿着第二沟槽的侧壁延伸，第二上栅电极位于第二下栅电极上，
第二栅电极不包括位于第二栅电极内的金属氧化物膜。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第二栅极间隔件限定第二沟槽，
第二栅电极包括第二下栅电极和第二上栅电极，第二下栅电极围绕第二栅极绝缘膜并且沿着第二沟槽的侧壁延伸，第二上栅电极位于第二下栅电极上，
第二栅电极还包括第二金属氧化物膜。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第二金属氧化物膜位于第二下栅电极与第二上栅电极之间的边界中。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第二金属氧化物膜位于第二下栅电极内，
第二金属氧化物膜与第二上栅电极和第二栅极绝缘膜分隔开。
10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一栅极绝缘膜包括上部和下部，
第一栅极绝缘膜包括金属氧化物，
第一栅极绝缘膜的上部的氧与金属的比例不同于第一栅极绝缘膜的下部的氧与金属的比例。
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