[发明专利]一种高效热电转换特性的ZnSb基薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高效热电转换特性的ZnSb基薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：采用等离子束，对原ZnSb基薄膜进行轰击，通过控制等离子束轰击参量，得到高效热电转换特性的ZnSb基薄膜；

所述等离子束轰击参量包括等离子束能量、加速极电压、束流和轰击时间中的一种或多种，其中控制等离子束能量为0.1KeV～0.8KeV，加速极电压为150V ~250V，束流为0.1mA～1mA，轰击时间为1min~60min；

所述等离子束为惰性气体组成的等离子束；

采用等离子束轰击原ZnSb基薄膜代替传统的薄膜热处理工艺，可避免Zn在中高温退火过程中的流失，不影响薄膜的成分，保证了薄膜具有稳定的化学成分。

2.根据权利要求1所述的高效热电转换特性的ZnSb基薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括步骤：

A、将原ZnSb基薄膜，固定于等离子束轰击系统的轰击工位架上；

B、将等离子束轰击系统本底真空度抽至1.0×10^-3 Pa以下，通入惰性气体作为工作气体；

C、采用等离子束，对原ZnSb基薄膜进行轰击，通过控制等离子束轰击参量，得到高效热电转换特性的ZnSb基薄膜。

3.根据权利要求1所述的高效热电转换特性的ZnSb基薄膜的制备方法，其特征在于，步骤B中，所述惰性气体为氩气或氮气。

4.根据权利要求1所述的高效热电转换特性的ZnSb基薄膜的制备方法，其特征在于，控制等离子束能量为0.5KeV，加速极电压为150V，束流为0.5mA，轰击时间为5min。

5.一种高效热电转换特性的ZnSb基薄膜，其特征在于，采用如权利要求1~4任一所述的高效热电转换特性的ZnSb基薄膜的制备方法制备而成。