[发明专利]静电放电保护器件在审
| 申请号： | 201710018367.X | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108288617A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 谷欣明;陈捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;卜璐璐 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电放电保护器件 电源电压 | ||
1.一种静电放电保护器件，其特征在于，所述静电放电保护器件包括N型掺杂区以及在所述N型掺杂区内的PNP型三极管。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述静电放电保护器件包括多个所述N型掺杂区，以及构成三极管组的多个所述PNP型三极管，各个所述PNP型三极管分散在各个所述N型掺杂区内，所述三极管组中的PNP型三极管彼此之间串联。
3.根据权利要求2所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述静电放电保护器件包括两组所述三极管组，每组所述三极管组中的PNP型三极管彼此之间串联，两组所述三极管之间通过各自组内的一个PNP型三极管的集电极相连。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述静电放电保护器件还包括若干电阻，一个所述电阻的两端分别连接到一个所述PNP型三极管的基极和发射极。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述N型掺杂区为形成在P型衬底内的第一N阱。
6.根据权利要求5所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述静电放电保护器件还包括形成在P型衬底内的深N阱以及形成在所述深N阱内的P阱，所述第一N阱形成在所述P阱中。
7.根据权利要求6所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述静电放电保护器件还包括形成在所述深N阱内的第二N阱，所述第二N阱与所述P阱相邻设置，所述第二N阱用于将所述静电放电保护器件与所述P型衬底内的其他器件隔离开来，和/或用于将所述深N阱进行偏置。
8.根据权利要求6所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述P阱的掺杂浓度小于所述P型衬底的掺杂浓度。
9.根据权利要求1-3中的任一项所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述PNP型三极管的数量取决于所述静电放电保护器件外部连接的电源电压的大小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
