[发明专利]一种低温烧结低介C0G微波介质材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低温烧结低介电常数C0G特性微波介质材料，其特征在于，包括：主料、副料、改性添加剂和烧结助剂；其中，

所述主料BaSi₂O₅为65～85份；

所述副料Zn₂SiO₄为2～10份；

所述改性添加剂为Al₂O₃ 0～4份、MnO 0.1～0.5份、CeO₂ 0～0.5份、CoO 0.1～1份、Nb₂O₅ 0～5份、ZrO₂ 0～4份；

所述烧结助剂为B₂O₃、SiO₂、ZnO、Li₂CO₃、MgO中的一种或多种，所述烧结助剂共6～20份。

2.一种如权利要求1所述的低温烧结低介电常数C0G特性微波介质材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将BaO的前驱体、SiO₂的前驱体按比例混合，进行球磨、烘干、过筛后在1000℃～1100℃煅烧2.5～5小时后获得BaSi₂O₅；

将ZnO的前驱体、SiO₂的前驱体按比例混合，进行球磨、烘干、过筛后在1150℃～1250℃煅烧2.5～5小时后获得Zn₂SiO₄；

所述BaSi₂O₅与所述Zn₂SiO₄，所述Al₂O₃、所述MnO、所述CeO₂、所述CoO、所述Nb₂O₅、所述ZrO₂的一种或多种，所述B₂O₃、所述SiO₂、所述ZnO、所述Li₂CO₃、所述MgO中的一种或多种，按比例混合、球磨、烘干、过筛后获得微波介质材料；

将微波介质材料造粒后在4～6MPa压力下制成坯体，再将坯体排胶，排胶温度为500℃、升温速率为2℃/min、保温1小时，再以3～8℃/min升温至850～950℃对排胶后的坯体进行烧结保温2～5小时后随炉自然冷却。

3.根据权利要求2所述的低温烧结低介电常数C0G特性微波介质材料的制备方法，其特征在于：

所述BaO的前驱体为BaO、Ba(OH)₂、BaCO₃中的一种或多种；

所述SiO₂的前驱体为SiO₂、H₂SiO₃中的一种或两种；

所述ZnO的前驱体为ZnO、Zn(OH)₂、ZnCO₃中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的低温烧结低介电常数C0G特性微波介质材料的制备方法，其特征在于：

将所述B₂O₃、所述SiO₂、所述ZnO、所述Li₂CO₃、所述MgO中的一种或多种按比例混合，进行球磨、烘干、过筛后在500～700℃煅烧2.5～5小时后获得烧结助剂。