[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板的一个表面形成截止膜；

在所述截止膜背离所述基板的表面制作形成刻蚀膜；

对所述刻蚀膜进行刻蚀，以形成计算全息图；

其中，所述截止膜的刻蚀速率低于所述刻蚀膜的刻蚀速率；

所述截止膜的刻蚀速率与所述刻蚀膜的刻蚀速率比小于1/100。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述基板的一个表面形成截止膜具体为：

采用热蒸发工艺、磁控溅射工艺或化学气相沉积工艺在所述基板的一个表面形成截止膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对所述刻蚀膜进行刻蚀，以形成计算全息图，具体包括：

在所述刻蚀膜表面形成光刻胶层；

在所述光刻胶层上进行曝光；

对所述光刻胶层进行显影，形成计算全息图形；

对所述计算全息图形对应的刻蚀膜进行刻蚀；

清洗所述刻蚀膜的表面，去除残留光刻胶，以形成计算全息图。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述光刻胶层上进行曝光具体为：

改变激光直写机的光刻物镜与待加工半导体器件表面之间的距离，并调整所述激光直写机中相应的光路，采用所述激光直写机在所述光刻胶层上进行曝光。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对所述计算全息图形对应的刻蚀膜进行刻蚀具体为：

采用反应离子刻蚀技术对所述计算全息图形对应的刻蚀膜进行刻蚀。

6.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-5任意一项所述的半导体器件的制作方法制作形成，所述半导体器件包括：

基板；

位于所述基板的一个表面的截止膜；

位于所述截止膜背离所述基板表面的刻蚀膜，所述刻蚀膜包括镂空区和非镂空区，所述非镂空区为计算全息图形；

其中，所述截止膜的刻蚀速率低于所述刻蚀膜的刻蚀速率；

所述截止膜的刻蚀速率与所述刻蚀膜的刻蚀速率比小于1/100。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述截止膜的材料为五氧化二钽或者二氧化钛。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述截止膜的厚度小于等于30nm，大于0nm。