[发明专利]一种巨介电低损耗CCTO基陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710020462.3 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106673642B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 齐世顺;程华容;杨魁勇;宋蓓蓓;孙淑英 | 申请（专利权）人： | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/465 | 分类号： | C04B35/465;C04B35/626;C04B35/638 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 王秀丽 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 巨介电低 损耗 ccto 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
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