[发明专利]降低沟槽型IGBT栅集电容并提高其击穿电压的方法在审
| 申请号： | 201710020572.X | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106684129A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 步建康;徐朝军;李士垚 | 申请（专利权）人： | 河北昂扬微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所13113 | 代理人： | 张红卫;刘谟培 |
| 地址： | 050022 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 沟槽 igbt 电容 提高 击穿 电压 方法 | ||
【说明书】：
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