[发明专利]一种p‑GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710021098.2 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106783962A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;郭海君;谢慎隆;袁嵩;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 增强 algan 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：
半绝缘衬底；
位于所述半绝缘衬底上异质外延生长的AlN成核层；
位于所述AlN成核层上生长的GaN缓冲层；
位于所述GaN缓冲层上生长的AlGaN势垒层；
分列于所述AlGaN势垒层上的源极、p型GaN介质层以及漏极；
位于所述p型GaN介质层上的栅极；
其特征在于：
在AlGaN势垒层上还外延生长有与p型GaN介质层边缘邻接的本征GaN帽层，所述本征GaN帽层部分覆盖或者完全覆盖栅极和漏极之间的区域，其长度与对沟道2DEG浓度调制的需要有关。
2.如权利要求1所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述p型GaN介质层是通过在AlGaN势垒层表面外延生长p型GaN层，然后刻蚀形成的。
3.如权利要求2所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述P型GaN层是通过掺Mg，然后退火形成的。
4.如权利要求1所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述栅极通过欧姆接触与所述p型GaN介质层相连。
5.如权利要求1所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述本征GaN帽层是通过在AlGaN势垒层表面选择区域外延生长本征GaN层形成的。
6.如权利要求1所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述本征GaN帽层的厚度与所述p型GaN介质层相同。
7.如权利要求1所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：本征GaN帽层长度不超过栅漏间距的百分之八十三。
8.如权利要求1所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述源极和所述漏极均通过欧姆接触与所述AlGaN势垒层相连。
9.如权利要求1所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述GaN缓冲层具有n型电阻特性或半绝缘特性。
10.如权利要求1所述的p-GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述半绝缘衬底为硅或碳化硅，或者替换为蓝宝石衬底。
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