[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201710021557.7 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106887492B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李红丽;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；
先依次进行多个阶段的降温，再生长应力释放层；所述应力释放层包括依次生长的第一GaN垒层、由交替层叠的InGaN层和GaN层组成的超晶格阱层、第二GaN垒层；各个所述阶段的温度保持不变，多个所述阶段的温度依次降低，相邻两个所述阶段的温度的降低速率不超过设定值；
在所述应力释放层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长P型电子阻挡层；
在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层；
所述第一GaN垒层的生长压力高于所述第二GaN垒层的生长压力。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，多个所述阶段的数量为3～5个。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，各个所述阶段的持续时间为30～60s。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，相邻两个所述阶段的温度之差相同。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二GaN垒层的生长压力为50～250MPa。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一GaN垒层的生长压力为300MPa。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一GaN垒层、所述超晶格阱层、所述第二GaN垒层中均掺有Si。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二GaN垒层中Si的掺杂浓度沿生长方向先逐渐减少再逐渐增多。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述N型GaN层上生长N型电流扩展层，所述N型电流扩展层为N型掺杂的AlGaN层。
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