[发明专利]一种富硒蕈菌菌种、富硒蕈菌及其培育方法在审

专利信息
申请号: 201710021755.3 申请日: 2017-01-12
公开(公告)号: CN108611277A 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 向华;周山 申请(专利权)人: 湖南奇硒健康产业有限公司
主分类号: C12N1/14 分类号: C12N1/14;A01G18/40;A01G18/00;A01G18/20;A23L31/00;C05G1/00;C12R1/645
代理公司: 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 代理人: 李慧
地址: 410100 湖南省长沙市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 蕈菌 一级菌种 栽培料 富硒 亚硒酸钠 驯化 菌种 接种 培育 亚硒酸钠溶液 酸碱度 筛选 有机硒含量 富硒能力 生产效率 保藏 记录 制作
【权利要求书】:

1.一种富硒蕈菌的培育方法,包括以下步骤:

步骤一、驯化筛选,获得一级菌种:准备候选蕈菌菌种,制作一级菌种培养基,定量分装一级菌种培养基并分别在其中添加不同浓度的亚硒酸钠溶液,得到不同浓度的含硒培养基,将候选蕈菌菌种接种至不同浓度的含硒培养基中培养,保持适宜的温度、湿度和酸碱度,通过驯化筛选获得富硒能力强的候选蕈菌菌种作为一级菌种,记录培养一级菌种的亚硒酸钠浓度作为最优亚硒酸钠浓度,并保藏一级菌种;

步骤二、准备含硒栽培料:制作栽培料,按照步骤一中的最优亚硒酸钠浓度将亚硒酸钠溶液加入栽培料中获得含硒栽培料;

步骤三、将一级菌种接种到含硒栽培料中,保持适宜的温度、湿度和酸碱度,获得富硒蕈菌。

2.根据权利要求1所述的一种富硒蕈菌的培育方法,其特征在于:所述步骤一包括以下步骤:

(1)选择抗逆性强、生长快、产量高的2个以上不同蕈菌菌种,作为候选蕈菌菌种;

(2)制作一级菌种培养基;

(3)定量分装一级菌种培养基并分别在其中添加不同浓度的亚硒酸钠溶液,得到不同浓度的含硒培养基;

(4)将步骤(1)中的候选蕈菌菌种分别接种到步骤(3)不同浓度的含硒培养基中,保持温度20-28℃,湿度60-70%,PH6-7,培养7-15天;

(5)观察步骤(4)中候选蕈菌菌种在不同浓度的含硒培养基中的生长情况,选择菌丝生长旺盛健壮、生长速度快的作为一级菌种,记录培养一级菌种的亚硒酸钠浓度作为最优亚硒酸钠浓度,并保藏一级菌种。

3.根据权利要求2所述的一种富硒蕈菌的培育方法,其特征在于:所述步骤(3)中的添加不同浓度的亚硒酸钠溶液是指在一级菌种培养基中分别添加30ppm、60ppm、90ppm、120ppm、150ppm、180ppm、210ppm、240ppm、270ppm的亚硒酸钠溶液。

4.根据权利要求1所述的一种富硒蕈菌的培育方法,其特征在于:所述步骤三后增加步骤四:对步骤一中保藏的一级菌种再次使用前,检测保藏的一级菌种的富硒能力,选择菌丝生长旺盛健壮、生长速度快的再次作为一级菌种,重复步骤二和步骤三。

5.根据权利要求4所述的一种富硒蕈菌的培育方法,其特征在于:所述检测保藏一级菌种的富硒能力是指将保藏一级菌种接种至一级菌种培养基中检测保藏一级菌种的富硒能力,选择菌丝生长旺盛健壮、生长速度快的再次作为一级菌种。

6.根据权利要求4所述的一种富硒蕈菌的培育方法,其特征在于:所述步骤四后增加步骤五:检测保藏的一级菌种的富硒能力,对富硒能力差的一级菌种进行提纯复壮。

7.根据权利要求1所述的一种富硒蕈菌的培育方法,其特征在于:所述步骤一中的一级菌种培养基为PDA培养基,每1000mlPDA培养基中包括如下重量比的原料组分:去皮土豆200g、葡萄糖20g、磷酸二氢钾1.5g、磷酸氢二钾1.5g、硫酸镁3g、维生素B110mg、琼脂20g,其余为水。

8.根据权利要求1所述的一种富硒蕈菌的培育方法,其特征在于:所述步骤三中的栽培料包括如下重量比的原料组分:棉籽壳75%、玉米芯18%、麸皮10%、石灰1.5%、石膏1%、硫酸镁0.2%、水65%。

9.一种富硒蕈菌菌种,其特征在于:根据权利要求1-3中任一项所述的一种富硒蕈菌的培育方法制得的一级菌种。

10.一种富硒蕈菌,其特征在于:采用权利要求1-8中任一项所述的一种富硒蕈菌的培育方法得到的富硒蕈菌。

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