[发明专利]铁电微等离子体推进器

权利要求书

1.一种铁电微等离子体推进器，其特征在于，所述铁电微等离子体推进器包括微喷管和铁电体放电器，微喷管键合在铁电体放电器上，微喷管和铁电体放电器之间的固定剂采用环氧树脂，微喷管和铁电体放电器中设有微通道，微喷管上设有出气的喷嘴，铁电放电器内设有铁电阴极放电区，推进剂气体由微通道的进气口进入铁电阴极放电区，经过微喷管的喷嘴喷出，喷嘴上设有内进气口和外出气口，内进气口和外出气口成倒金字塔形状。

2.根据权利要求1所述的铁电微等离子体推进器，其特征在于，所述微喷管采用硅材料制备，微喷管的外表面设有二氧化硅掩膜，铁电放电器的表面设有电极膜。

3.根据权利要求1所述的铁电微等离子体推进器，其特征在于，所述内进气口在微喷管上的接触面大于外出气口在微喷管上的接触面。

4.根据权利要求1所述的铁电微等离子体推进器，其特征在于，所述微通道设置在微喷管和铁电放电器之间形成水平进气结构或微通道刻蚀在铁电放电器上形成垂直进气结构。

5.根据权利要求4所述的铁电微等离子体推进器，其特征在于，所述水平进气结构中，微喷管和铁电放电器之间设有两个接触端，一个接触端是环氧树脂，另一个接触端是微通道。

6.根据权利要求4所述的铁电微等离子体推进器，其特征在于，所述垂直进气结构中，微喷管和铁电放电器之间设有两个接触端，两个接触端都采用环氧树脂固定，铁电放电器上设置通孔为微通道。

7.一种铁电微等离子体推进器的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：

步骤①.微喷管选用硅片材质，硅片清洗后在1100℃的高温氧化炉内双面氧化；

步骤②.在硅片正面涂覆光刻胶以此为掩膜，利用RIE方法刻蚀SiO₂薄膜使其图形化；

步骤③.在硅片背面涂覆光刻胶为掩膜在RIE中刻蚀SiO₂薄膜使其图形化；

步骤④.以SiO₂为保护掩膜，正反两面同时刻蚀锥形金字塔空腔直至释放出喷管喉颈；

步骤⑤.去除SiO₂掩膜后重新在氧化炉内的双面氧化；

步骤⑥.铁电放电器选用铁电体，利用薄膜沉积工艺在铁电体正面沉积电极膜并光刻后图形化，利用薄膜沉积工艺在铁电体背面沉积电极膜；在微喷管和铁电体上制成微通道；

步骤⑦.使用键合技术把微喷管和铁电阴极放电器键合一起构成具有水平进气结构的微推进器。

8.根据权利要求7所述的铁电微等离子体推进器的加工方法，其特征在于，所述步骤⑥中的微通道是水平进气结构，水平进气结构的加工方法为：对步骤⑤处理后的微喷管再次以光刻胶为掩膜在释放喷管处刻蚀出水平通气流道，去除SiO₂掩膜后重新在氧化扩散炉内双面氧化。

9.根据权利要求7所述的铁电微等离子体推进器的加工方法，其特征在于，所述步骤⑥中的微通道是垂直进气结构，垂直进气结构的加工方法为：在步骤⑥处理后的铁电体上制作通孔作为微通道。