[发明专利]存储装置和存储系统

说明书

实施方式的存储装置具备：存储单元；第一电路，对所述存储单元进行第一读出，向进行了所述第一读出的所述存储单元写入第一数据，对写入了所述第一数据的所述存储单元进行第二读出，基于所述第二读出结果，根据所述第一读出结果判定数据，将进行了所述判定的数据写回至所述存储单元；以及纠错电路，对进行了所述判定的数据进行纠错。

技术领域

本发明的实施方式涉及存储装置和存储系统(memory system)。

背景技术

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻随机存取存储器)是在存储信息的存储单元中使用了具有磁阻效应(Magnetoresistive effect)的磁元件的存储设备。MRAM作为以高速工作、大容量、非易失性为特征的下一代存储设备引人注目。另外，MRAM作为DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)或SRAM(Static RandomAccess Memory：静态随机存取存储器)等易失性存储器的置换，推进了研究和开发。在该情况下，在抑制开发成本且顺畅地进行置换时，最理想的是利用与DRAM和SRAM相同的规格使MRAM工作。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够抑制数据的消失的高质量存储装置和存储系统。

实施方式的存储装置具备：存储单元；第一电路，对所述存储单元进行第一读出，向进行了所述第一读出的所述存储单元写入第一数据，对写入了所述第一数据的所述存储单元进行第二读出，基于所述第二读出结果，根据所述第一读出结果判定数据，将进行了所述判定的数据写回至所述存储单元；以及纠错电路，对进行了所述判定的数据进行纠错。

附图说明

图1表示第一实施方式涉及的存储系统的构成的框图。

图2是表示第一实施方式涉及的存储系统的存储阵列的构成的电路图。

图3是表示第一实施方式涉及的存储系统的存储单元的基本构成的图。

图4是表示第一实施方式涉及的存储系统中的单元电流分布的图。

图5是表示第一实施方式涉及的存储系统中的单元电流分布的图。

图6是第一实施方式涉及的存储系统的读出工作的流程图。

图7是表示第一实施方式涉及的存储系统中的单元电流分布的图。

图8是表示第一实施方式涉及的存储系统中的单元电流分布的图。

图9是与第一实施方式涉及的存储系统的读出工作的一例相关的时间图(timingchart)。

图10是与第一实施方式的比较例涉及的存储系统的读出工作的一例相关的时间图。

图11是第二实施方式涉及的存储系统的读出工作的流程图。

图12是与第二实施方式涉及的存储系统的读出工作的一例相关的时间图。

图13是表示第三实施方式涉及的存储系统的构成的框图。

图14是第三实施方式涉及的存储系统的读出工作的流程图。

图15是与第三实施方式涉及的存储系统的读出工作的一例相关的时间图。

图16是与第三实施方式的比较例涉及的存储系统的读出工作的一例相关的时间图。

图17是第四实施方式涉及的存储系统的读出工作的流程图。

图18是与第四实施方式涉及的存储系统的读出工作的一例相关的时间图。

图19表示第五实施方式涉及的存储系统的构成的框图。