[发明专利]静电放电钳位器件以及静电放电钳位电路

权利要求书

1.一种静电放电钳位器件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上具有两个以上相隔离的阱区；

在每一个所述阱区中，包括依次间隔排列的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区用于构成三极管，以及，所述第一掺杂区包括发射极掺杂区，所述第二掺杂区包括基极掺杂区，所述第三掺杂区包括集电极掺杂区；

在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的第一掺杂区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的第三掺杂区连接一第二电源线，前一所述阱区中的第三掺杂区连接后一所述阱区中的第一掺杂区；

其中，所述衬底、第一掺杂区和第三掺杂区为第一导电类型，所述阱区和第二掺杂区为第二导电类型。

2.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第二掺杂区和第三掺杂区均为环形，所述第二掺杂区围绕所述第一掺杂区，所述第三掺杂区围绕所述第二掺杂区。

3.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述静电放电钳位器件还包括第一深阱，所述阱区位于所述第一深阱中，所述第一深阱为第一导电类型。

4.如权利要求3所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述静电放电钳位器件还包括用于隔离所述第一深阱的第二深阱，所述第二深阱为第二导电类型。

5.如权利要求4所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第二深阱中设置有引出区，所述引出区接浮动电压，所述引出区为第二导电类型。

6.如权利要求3所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述静电放电钳位器件还包括第三深阱，所述第一深阱位于所述第三深阱中，所述第三深阱为第二导电类型。

7.如权利要求6所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第三深阱的掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度。

8.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

9.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线为高压电源线，所述第二电源线为低压电源线。

10.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差大于等于20V。

11.如权利要求10所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差为20V、30V、40V或50V。

12.一种静电放电钳位电路，其特征在于，包括两个以上三极管，第一个所述三极管的发射极连接一第一电源线，最后一个所述三极管的集电极连接一第二电源线，前一所述三极管的集电极连接后一所述三极管的发射极；其中，每个三极管对应形成在一个阱区中；

以及，所述静电放电钳位电路还包括第一深阱、第三深阱、衬底；所述阱区位于所述第一深阱中，所述第一深阱为第一导电类型；所述第一深阱位于所述第三深阱中，所述第三深阱为第二导电类型；所述第三深阱位于所述衬底中。

13.如权利要求12所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述第一电源线为高压电源线，所述第二电源线为低压电源线。

14.如权利要求12或13所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述三极管为PNP三极管。

15.如权利要求12或13所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述三极管为双极型三极管。

16.如权利要求12所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差大于等于20V。