[发明专利]阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括交错层叠的第一电极层和隔离层；

在所述层叠结构的侧壁上形成阻变层；

至少在所述阻变层的侧壁上形成第二电极层，从而形成多个存储单元。

2.根据权利要求1所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述阻变层包括第一金属氧化物层和相对所述层叠结构位于所述第一金属氧化物层外侧的第二金属氧化物层。

3.根据权利要求1所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述层叠结构上设置有两个以上的沿第一方向间隔布置的所述第二电极层，所述第一方向与所述层叠结构的堆叠方向垂直，并平行于所述阻变层。

4.根据权利要求3所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，至少在所述阻变层的侧壁上形成第二电极层的步骤包括：

在所述层叠结构顶部、所述阻变层的侧壁和所述半导体衬底的表面上形成第二电极材料层；

对所述第二电极材料层进行图形化以至少在所述侧壁上形成沿所述第一方向间隔布置的所述第二电极层。

5.根据权利要求1所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述层叠结构的数量为两个以上，并沿第二方向间隔排列；

所述第二电极层覆盖所述层叠结构的顶部、所述阻变层的侧壁，以及所述半导体衬底的表面；

相邻的所述层叠结构上的位于沿所述第二方向延伸的同一直线上的所述第二电极层彼此电性连接。

6.根据权利要求1-5中的任意一项所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述第一电极层、所述阻变层和第二电极层形成导电桥接结构。

7.一种阻变随机存储器存储单元，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层叠结构，所述层叠结构包括交错层叠的第一电极层和隔离层；

在所述层叠结构的侧壁上形成有阻变层；

至少在所述阻变层的侧壁上形成有第二电极层。

8.根据权利要求7所述的阻变随机存储器存储单元，其特征在于，所述阻变层包括第一金属氧化物层和相对所述层叠结构位于所属第一金属氧化物层外侧的第二金属氧化物层。

9.根据权利要求7所述的阻变随机存储器存储单元，其特征在于，所述层叠结构上设置有两个以上的沿第一方向间隔布置的所述第二电极层，所述第一方向与所述层叠结构的堆叠方向垂直，并平行于所述阻变层。

10.根据权利要求7所述的阻变随机存储器存储单元，其特征在于，所述层叠结构的数量为两个以上，并沿第二方向间隔排列。

11.根据权利要求10所述的阻变随机存储器存储单元，其特征在于，所述第二电极层覆盖所述层叠结构的顶部、所述阻变层的侧壁，以及所述半导体衬底的表面；

相邻的所述层叠结构上的位于沿所述第二方向延伸的同一直线上的所述第二电极层彼此电性连接。

12.根据权利要求7-11中的任意一项所述的阻变随机存储器存储单元，其特征在于，所述第一电极层、所述阻变层和第二电极层形成导电桥接结构。

13.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求7-12中的任意一项所述的阻变随机存储器存储单元以及与所述阻变随机存储器存储单元相连接的电子组件。