[发明专利]一种锑硒硫合金薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710022776.7 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108300965A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 唐江;薛丁江;陈洁;刘新胜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锑硒 掺杂 合金薄膜 合金粉末 制备 掺杂元素 掺杂的 半导体光电材料 晶体结构缺陷 硫化物 薄膜步骤 薄膜制备 掺杂类型 高电导率 混合烧结 晶格缺陷 设备要求 退火工艺 对设备 硒化物 掺入 单质 | ||
【权利要求书】：
1.一种锑硒硫合金薄膜制备方法，包括掺杂步骤和制备薄膜步骤，其特征在于：
(1)掺杂步骤：按照摩尔比1：100～1：1000000，将掺杂元素掺入Sb2(Sex,S1-x)3合金粉末中，混合均匀并烧结，形成掺杂粉末；
其中x为阴离子中Se的摩尔分数，1-x为阴离子中S的摩尔分数，0≤x≤1；
所述掺杂元素为下述三类组分中的一类或多类：
(1.1)I、Sn、Zn、Ca、Na、K元素的单质中的一种或多种；
(1.2)上述元素的硒化物；
(1.3)上述元素的硫化物；
掺杂元素中，不包括同一元素的单质和该元素的硒化物、同一元素的单质和该元素的硫化物、以及同一元素的硒化物和硫化物；
(2)制备薄膜步骤：将所述掺杂粉末作为前驱体，利用磁控溅射、电子束蒸发、热蒸发或近空间升华方法，制备掺杂的锑硒硫合金薄膜。
2.如权利要求1所述的锑硒硫合金薄膜制备方法，其特征在于：
所述掺杂步骤中，在真空或N2气体保护气氛下进行烧结，烧结温度550℃～610℃，加热反应时间20小时～24小时。
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