[发明专利]一种具有垂直交换偏置效应的双层钙钛矿锰氧化物薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201710022885.9 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN106910821A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 赵旭;彭勃;蔡文辉;陈伟 | 申请(专利权)人: | 河北师范大学 |
主分类号: | H01L43/10 | 分类号: | H01L43/10;H01L43/12 |
代理公司: | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司13100 | 代理人: | 董金国 |
地址: | 050024 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 垂直 交换 偏置 效应 双层 钙钛矿锰 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有垂直交换偏置效应的双层钙钛矿锰氧化物薄膜,其特征在于其分子式为:Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿锰氧化物薄膜,其特征在于薄膜的厚度为360-940nm。
3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿锰氧化物薄膜,其特征在于,薄膜厚度为720nm。
4.如权利要求1所述的钙钛矿锰氧化物薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)采用溶胶-凝胶法制备所需要的Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7靶材;
(2)采用脉冲激光沉积技术在(111)晶向的Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7薄膜,沉积温度为700-800℃,沉积氧压为15-25Pa,激光电压为15-20KV,沉积速率为2-4HZ,通过改变沉积次数得到不同厚度的薄膜。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的靶材为Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7单相材料。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的溶胶-凝胶法最终烧结温度为1400℃,烧结时间为20-50小时。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的沉积次数为10000-30000次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北师范大学,未经河北师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710022885.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于Modbus协议的1转16串口扩展器
- 下一篇:无源转换器