[发明专利]太阳能电池

说明书

公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的晶体半导体基板；前掺杂层，所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结；后掺杂层，所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结；前透明导电层，所述前透明导电层在所述前掺杂层上；后透明导电层，所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，以与所述半导体基板形成p‑n结，而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。

技术领域

本发明的实施方式涉及太阳能电池，更具体地，涉及异质结太阳能电池。

背景技术

最近，为了提高太阳能电池的效率，已经进行了对异质结太阳能电池的研究。代表性的异质结太阳能电池包括使用本征非晶硅(i-a-Si)作为钝化层的太阳能电池和使用薄隧穿氧化物层作为钝化层的太阳能电池。

异质结太阳能电池被形成在太阳能电池的半导体基板的前表面和后表面上，并且包括执行光学功能(例如，抗反射层和反射层的功能)和电功能(例如，与金属电极的接触功能)的透明导电氧化物(TCO)层。

当位于半导体基板的前表面上的前透明导电层和位于半导体基板的后表面下的后透明导电层彼此物理接触时，存在分流电阻降低、转换效率降低、并且发生短路的问题。

因此，现有技术的太阳能电池被配置成使得透明导电层不形成在半导体基板的前边缘区域和后边缘区域中，而是仅形成在除了边缘区域以外的中心区域中。

然而，在具有这种结构的太阳能电池中，由于在边缘区域中不形成前透明导电层，所以前透明导电层的抗反射功能下降，并且在边缘区域的半导体基板中产生的电流没有被收集在集电极上。因此，存在短路电流密度降低并且因此太阳能电池的效率降低的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种高效率太阳能电池。

在一个方面，提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的晶体半导体基板；前掺杂层，所述前掺杂层位于所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结；后掺杂层，所述后掺杂层位于所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结；前透明导电层，所述前透明导电层位于所述前掺杂层上；以及后透明导电层，所述后透明导电层位于所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，以与所述半导体基板形成p-n结，而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。

所述前透明导电层在第一方向上的宽度可以等于或大于所述半导体基板在所述第一方向上的宽度。

在所述半导体基板的所述前表面的边缘区域的至少一部分中可以不形成所述前透明导电层。

不形成所述前透明导电层的区域可以局部地位于所述半导体基板的所述前表面的所述边缘区域的一部分中。

不形成所述前透明导电层的多个区域可以彼此间隔开。

所述后透明导电层在所述第一方向上的宽度和在第二方向上的宽度可以分别小于所述半导体基板在所述第一方向上的宽度和在所述第二方向上的宽度。

在所述半导体基板的所述后表面的边缘区域中可以不形成所述后透明导电层。

可以沿着所述半导体基板的边缘连续地形成不形成所述后透明导电层的区域。