[发明专利]一种自适应输出电流去纹波电路及其去纹波方法有效

专利信息
申请号: 201710024848.1 申请日: 2017-01-13
公开(公告)号: CN108306492B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 刘军;吴泉清;王兆坤 申请(专利权)人: 华润矽威科技(上海)有限公司
主分类号: H02M1/14 分类号: H02M1/14;H02M1/32
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 201103 上海市闵行区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 自适应 输出 电流 去纹波 电路 及其 方法
【说明书】:

发明提供一种自适应输出电流去纹波电路及其去纹波方法,包括:检测LED负载的负端电压,小于设定电压时,第一恒流源关闭,第二恒流源开启,第二恒流源对补偿电容放电,补偿电压减小,输出电流减小,LED负载的负端电压增大;当LED负载的负端电压大于设定电压时,第一恒流源开启,第二恒流源关闭,第一恒流源对补偿电容充电,补偿电压增大,输出电流增大,LED负载的负端电压减小。本发明只检测输出纹波电压的最低值,适合可控硅调光和线性输出的去纹波应用;本发明的过热保护不影响前级系统的工作,不会出现闪烁影响体验,可单独控制MOSFET的热损耗。

技术领域

本发明涉及电路设计领域,特别是涉及一种自适应输出电流去纹波电路及其去纹波方法。

背景技术

通常在高功率因素(PF,Power Factor)的应用中,由于输出电容的限制,输出电流有工频的交流成分存在,在有些场合下会导致闪烁,需要增加去纹波电路来滤除工频成分。

如图1所示为传统的MOSFET去纹波电路,包括串联后并联于输出端的电阻R1和电容C1,正相输出端Vo+通过晶体管Q1连接LED的正端LED+,反相输出端Vo-连接LED的负端LED-;二极管D1的正极连接正相输出端Vo+、负极连接稳压二极管Z1的负极,稳压二极管Z1的正极连接电容C1的上极板,电容C1的上极板经过电阻R2后连接晶体管Q1的栅极,稳压二极管Z2的正极连接LED的正端LED+、负极连接晶体管Q1的栅极。图1中的MOSFET去纹波电路的损耗与晶体管Q1的阈值电压Vth有关,通常阈值电压Vth2V,因此在大电流的应用下系统整体损耗比较大。

如图2所示为现有的去纹波芯片方案,前级输出端包括输出驱动和滤波电容CIN,去纹波芯片的VIN端连接前级输出端,VIN端和LED端之间连接LED灯串,VSP端连接接地电阻RSP,VC端通过电容CC后接地。该方案可以做到自适应输出电流去纹波,整体效率也比较高,但是存在几个缺点,一是控制电流的范围有限,自身内部有限流,并且在小电流状态下没有去纹波效果;二是前级输出的纹波电压有限制,在输出纹波电压超过一定值时无法实现去纹波功能,不支持线性输出的去纹波应用。

如图3所示为现有的另一种去纹波芯片方案,电阻R3和电容C2串联后并联于前级输出端,LED灯串的正端连接于前级输出端,晶体管Q2的漏端连接于LED灯串的负端,电阻R4连接于晶体管Q2的源端和地之间;去纹波芯片的VCC端连接电容C2的上极板,GATE端连接晶体管Q2的栅端、CS端连接晶体管Q2的源端、COMP端通过电容C3接地,GND端接地。该方案增加了电流设置电阻R4,扩大了电流应用范围,并且纹波电压不再有限制,但是有个缺点就是不支持可控硅调光应用,也不支持线性输出的去纹波应用,大大限制了该方案的应用场合。

综上所述,目前的方案在可控硅调至最暗时无法实现去纹波功能,并且不能应用在线性输出需要去纹波的场合(线性输出的纹波电压很大),因此,如何提出一种新的去纹波电路和方法,同时提高效率、扩大电流应用范围、支持可控硅调光应用、支持线性输出的去纹波应用,已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种自适应输出电流去纹波电路及其去纹波方法,用于解决现有技术中去纹波方案效率低、电流应用范围小、不支持可控硅调光应用、不支持线性输出的去纹波应用等问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种自适应输出电流去纹波电路,所述自适应输出电流去纹波电路至少包括:

正端连接于前级电路输出端的LED负载;

漏端连接于所述LED负载的负端的去纹波恒流控制管,通过调整流经所述去纹波恒流控制管的电流大小来去除输出电流的纹波;

连接于所述去纹波恒流控制管的源端的反馈模块,用于将所述输出电流转换为反馈电压并反馈至驱动模块;

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