[发明专利]电流源的启动电路及电压源的启动电路有效
| 申请号： | 201710026331.6 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107404312B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李小勇;李旋 | 申请（专利权）人： | 上海韦玏微电子有限公司;上海料聚微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 启动 电路 电压 | ||
1.一种电流源的启动电路，其特征在于，所述电流源包括第一节点和第二节点，所述第一节点和所述第二节点在所述电流源未正常启动时为高电平；
所述启动电路用于检测所述第一节点的电平，并在所述第一节点为高电平时拉低所述第二节点的电平，以增加所述电流源的输出电流直至所述电流源正常启动；其中，所述电流源正常启动后所述第一节点的电平下降，所述第二节点的电平不受所述第一节点的电平的影响；
所述启动电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和反相器；
所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极分别与所述第一节点连接，所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管漏极相连且分别与所述反相器的输入端连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一PMOS管的源极接电源，所述反相器的输出端与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第二节点连接。
2.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述电流源还包括若干开关和PMOS管；
该些开关用于打开或关闭所述电流源；
所述PMOS管在所述电流源未正常启动时关闭，在所述电流源正常启动时开启。
3.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述电流源还与电流镜连接；
所述电流镜用于产生与所述输出电流大小相等且方向相同的输出电流基准。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的启动电路，其特征在于，所述电流源为恒定跨导电流源。
5.一种电压源的启动电路，其特征在于，所述电压源包括第一节点和第二节点，所述第一节点和所述第二节点在所述电压源未正常启动时为高电平；
所述启动电路用于检测所述第一节点的电平，并在所述第一节点为高电平时拉低所述第二节点的电平，以增加所述电压源的输出电压直至所述电压源正常启动；其中，所述电压源正常启动后所述第一节点的电平下降，所述第二节点的电平不受所述第一节点的电平的影响；
所述启动电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和反相器；
所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极分别与所述第一节点连接，所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管漏极相连且分别与所述反相器的输入端连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一PMOS管的源极接电源，所述反相器的输出端与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第二节点连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海韦玏微电子有限公司;上海料聚微电子有限公司，未经上海韦玏微电子有限公司;上海料聚微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710026331.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体集成电路
- 下一篇：用于进行重组解码的低密度奇偶校验解码装置及相关方法
