[发明专利]一种促进西洋菜生长、降低茎叶镉含量的方法

权利要求书

1.一种促进西洋菜生长、降低茎叶镉含量的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

将破碎后的秸秆施入种植着西洋菜的镉污染土壤中；

或，

将破碎后的秸秆施入镉污染土壤中，然后将西洋菜幼苗种植其中；

所述秸秆为红果黄鹌菜秸秆、牛膝菊秸秆、豨莶秸秆、三叶鬼针草秸秆中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述秸秆的粒径不超过5mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述秸秆的施用量为300～400kg/亩。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将破碎后的秸秆施入镉污染土壤后，浇水保持湿润，平衡后再种植西洋菜幼苗。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述平衡时间为一周。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，种植幼苗时，采用高2～4cm的幼苗进行扦插。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述秸秆为红果黄鹌菜秸秆或牛膝菊秸秆。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括浇水管理，所述浇水管理为：在西洋菜幼苗种植后两周内确保水面高出土壤1cm，在西洋菜幼苗种植后两周之后确保水面高出土壤3cm。