[发明专利]直流灭弧功率器件驱动装置及灭弧装置

权利要求书

1.一种直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：

其包括第一半导体开关、第一电容、第一限流元件、第二半导体开关；

所述第一半导体开关、所述第一电容、所述第一限流元件串联而成第一串联电路；

所述第一半导体开关与所述第一电容串联而成第二串联电路，所述第二半导体开关与所述第二串联电路并联；

所述第一串联电路的所述第一半导体开关端与所需驱动的功率器件的第一端连接，所述第一串联电路的所述第一限流元件端与电源端连接；

所述第一半导体开关与所述第一电容连接的共同端与所述功率器件的第二端连接；

所述功率器件的第三端、所述功率器件的第一端分别与所需灭弧的机械开关两端连接；

所述功率器件的第一端为负载的连接端，所述第一串联电路与所述负载并联;

所述功率器件的第二端、所述功率器件的第一端分别为用于驱动所述功率器件的两电极；

所述机械开关闭合后，通过所述机械开关的直流电源通过所述第一半导体开关、所述第一限流元件对所述第一电容充电；

所述机械开关分断过程中，所述第二半导体开关导通，所述第一电容通过所述功率器件的第二端、所述功率器件的第一端、所述第二半导体开关驱动所述功率器件导通。

2.根据权利要求1所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述第一限流元件为一电阻，所述第一半导体开关为一二极管。

3.根据权利要求1所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：包括一稳压器件；所述稳压器件与所述第一电容并联，或所述稳压器件通过所述第一半导体开关与所述第一电容并联。

4.根据权利要求1所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述第二半导体开关为半控型开关。

5.根据权利要求4所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述半控型开关至少包括一晶闸管或一晶闸管等效电路。

6.根据权利要求4所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述第二半导体开关的控制端与所述功率器件的第三端连接。

7.根据权利要求4所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述第二半导体开关包括触发开关、第一晶体管、第二电容，所述触发开关与所述第二串联电路并联，所述功率器件的第三端、所述功率器件的第一端之间的电位差信号通过所述第二电容、所述第一晶体管放大后传递至所述触发开关的触发极。

8.根据权利要求7所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述触发开关为一晶闸管或一晶闸管等效电路。

9.根据权利要求6所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：包括一电压检测开关，所述电压检测开关两端分别与所述功率器件的第二端、所述功率器件的第一端连接。

10.根据权利要求9所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述电压检测开关在所述功率器件的第二端与所述功率器件的第一端之间的电压小于驱动所述功率器件饱和导通所需的电压时导通。

11.根据权利要求9所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述第一限流元件与所述第一电容连接的共同端与所述电压检测开关的检测端连接。

12.根据权利要求11所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述电压检测开关包括一稳压器件、第二晶体管、第三晶体管、第四电阻、第五电阻，第六电阻，所述第二晶体管的集电极与所述第三晶体管的基极连接，所述第二晶体管的集电极通过所述第五电阻与所述第三晶体管的集电极连接，所述第三晶体管的集电极、所述第三晶体管的发射极为所述电压检测开关的主回路端，所述第四电阻、所述稳压器件、所述第二晶体管的基极与所述第二晶体管的发射极串联而成第三串联电路，所述第三串联电路与所述第一电容并联，所述第六电阻的两端分别与所述第二晶体管的基极、所述第二晶体管的发射极连接，所述第二晶体管的发射极与所述第三晶体管的发射极连接。

13.根据权利要求9所述的直流灭弧功率器件驱动装置，其特征是：所述电压检测开关为二端电路。