[发明专利]CMOS‑MEMS结构在审
| 申请号： | 201710028445.4 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN107021448A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 谢元智;曾李全;林宏桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos mems 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种CMOS-MEMS结构，包括：
盖衬底，包括空腔；
感测衬底，包括多个接合区域，所述感测衬底和所述多个接合区域由未掺杂的半导体材料组成；
共晶金属层，位于所述多个接合区域上方；以及
CMOS衬底，通过所述共晶金属层连接至所述感测衬底；
其中，所述盖衬底熔融接合至所述感测衬底，并且所述未掺杂的半导体材料物理地连接至所述共晶金属层。
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