[发明专利]一种基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法

权利要求书

1.一种基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.在基材上涂覆氧化石墨烯溶液，干燥得到氧化石墨烯薄膜；

B.根据所需形成的电路走线布局，在氧化石墨烯薄膜上通过x,y轴平面寻址定位，采用高能射线进行照射，使氧化石墨烯还原形成石墨烯走线；

C.清洗去除多余的氧化石墨烯，得到石墨烯电路板。

2.根据权利要求1所述的基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，所述高能射线包括激光、X射线、粒子束。

3.根据权利要求1所述的基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，所述激光的波长为150-850nm。

4.根据权利要求1所述的基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯溶液为将氧化石墨烯与极性溶剂配制得到的溶液，所述极性溶剂为去离子水、乙醇、乙二醇、二甲基甲酰胺、四氢呋喃、N-甲基吡咯烷酮或月桂醇聚醚硫酸酯钠中的一种。

5.根据权利要求1所述的基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯溶液的浓度为1-10mg/mL。

6.根据权利要求1所述的基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，所述步骤A的涂覆操作为喷涂、印刷或旋涂。

7.根据权利要求1所述的基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，所述步骤Ｃ的清洗操作是指用极性溶剂或有机溶剂清洗去除多余的氧化石墨烯。

8.根据权利要求1所述的基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，所述基材为柔性薄膜。

9.根据权利要求8所述的基于寻址可调的高能射线制备石墨烯电路板的方法，其特征在于，所述柔性薄膜为聚二甲基硅氧烷薄膜、聚乙烯醇薄膜、PE薄膜、聚酯薄膜或涂覆水性UV树脂的薄膜中的一种。