[发明专利]磁性元件的制造方法有效
申请号: | 201710028656.8 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN107275067B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 林国藩;涂富凯 | 申请(专利权)人: | 全汉企业股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F27/26;H01F3/14;H01F17/04 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;郝传鑫 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 元件 制造 方法 | ||
本发明公开一种磁性元件的制造方法,其包括下列步骤:以导磁性材料形成一块状体,块状体具有中心柱以及侧柱;沿一第一平面切割块状体以形成第一半体以及第二半体,第一平面系通过中心柱与侧柱;组合第一半体以及第二半体,并使第一半体与第二半体的中心柱之间形成一第一气隙,使第一半体与第二半体的侧柱之间形成第二气隙;以及沿第二平面切割或研磨黏合后的第一半体以及第二半体以形成第三半体,第二平面系通过中心柱与侧柱,第三半体包括第一气隙以及第二气隙。由于在中心柱及侧柱上分别形成复数个气隙,如此气隙可以均匀地分布在整个磁路中,不会过度集中在中心柱,同时又可以发挥避免磁饱和的效果,且使漏磁损耗可以控制在希望的范围内。
技术领域
本发明系有关于一种磁性元件的制造方法,特别是有关于一种在磁路上具有多数个气隙的磁性元件的制造方法。
背景技术
图1A、1B表示习知的电感元件,习知的磁性元件例如变压器、电感元件等会利用第一磁芯11之中心柱111与第二磁芯12之中心柱121间形成的单一气隙14来避免磁饱和,然而此种单一气隙14若间距过大会造成较高的漏磁,导致能量耗损增加。且习知具气隙的磁性元件需要使用绕线架10将绕线组13固定于第一磁芯11与第二磁芯12之间,会使所能容置的绕线组减少,而降低绕线使用率及磁性元件的工作效率。市面上有磁性元件在中心柱设置多气隙来降低及分散漏磁耗损、降低扩散磁通,但磁芯中心柱气隙分布及数量有其极限,且当气隙的数量增加时,气隙之间的距离会变小,而当气隙之间的距离小于一长度时,扩散磁通无法持续有效降低,因此效率提升有限。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种磁性元件的制造方法,使磁性元件的磁芯件在磁路上的中心柱及侧柱上分别形成复数个气隙,如此气隙可以均匀地分布在整个磁路中,不会过度集中在中心柱,同时又可以发挥避免磁饱和的效果,而且使漏磁损耗可以控制在希望的范围内。
本发明所提供的磁性元件的制造方法的一实施例包括下列步骤:以导磁性材料形成一块状体,块状体具有中心柱以及侧柱;沿一第一平面切割块状体以形成第一半体以及第二半体,第一平面系通过中心柱与侧柱;黏合第一半体以及第二半体,并使第一半体与第二半体的中心柱之间形成一第一气隙,使第一半体与第二半体的侧柱之间形成第二气隙;以及沿第二平面切割或研磨黏合后的第一半体以及第二半体以形成第三半体,第二平面系通过中心柱与侧柱,第三半体包括第一气隙以及第二气隙。
在另一实施例中,块状体更具有第一连接部及第二连接部,第一连接部连接中心柱以及侧柱,第二连接部连接中心柱以及侧柱,第一半体具有第一连接部,且第二半体具有第二连接部。
在另一实施例中,沿一第二平面切割或研磨黏合后的第一半体以及第二半体的步骤更包括:切割或研磨第一半体的第一连接部。
在另一实施例中,第一半体的第一连接部的厚度小于第二半体的第二连接部的厚度。
在另一实施例中,第一半体的第一连接部的厚度是大于或等于2毫米以及小于或等于5毫米。
在另一实施例中,黏合第一半体以及第二半体的步骤更包括:在第一半体以及第二半体之间形成一间距,并在间距中涂布黏胶后进行烧结。
在另一实施例中,黏胶系为一种导热胶(Bond-ply)材料。
在另一实施例中,将一绕线组放置于第三半体与另一第三半体之间并套设于中心柱;以及将第三半体与另一第三半体组合。
在另一实施例中,将第三半体与另一第三半体组合的步骤包括:在第三半体与另一第三半体之间形成一间隙,而在第三半体的中心柱与另一第三半体的中心柱之间形成第三气隙,在第三半体的侧柱与另一第三半体的侧柱之间形成第四气隙。
在另一实施例中,绕线组系为一导电片绕组。
在另一实施例中,磁性元件的制造方法更包括:将一隔离元件自外侧固定于该侧柱,并使该隔离元件与该侧柱具有一预设距离。
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