[发明专利]边缘圆化的场效应晶体管及制造方法

权利要求书

1.一种制造存储器器件的方法，该方法包括：

形成穿隧介电区；

形成电荷捕获区和在该穿隧介电区与栅极区之间的区块介电区，包括，

形成紧靠该穿隧介电区的第一氮化物层，

形成紧靠该第一氮化物层的牺牲氧化物层，

回蚀刻该牺牲氧化物层直到至少该第一氮化物层被曝露，

氧化部分的该第一氮化物层以形成氧氮化物层；以及

氮化该区块介电区的表面使得被氮化的氧氮化物层形成在该区块介电区与该栅极区之间。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在该区块介电区上形成该栅极区；以及

氧化该栅极区的侧壁。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一氮化物层包括富硅氮化物层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，该第一氮化物层是多层的且包括在该富硅氮化物层上的第二氮化物层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，氮化该区块介电区的表面包括：

在炉退火中将该区块介电区的表面曝露于氮。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，借由在该区块介电区与该栅极区之间的该被氮化的氧氮化物层而抑制该栅极区的边缘侵蚀。

7.根据权利要求2所述的方法，还包括：

氧化该电荷捕获区的侧壁以及该栅极区的侧壁。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，借由氧化物植入该栅极区的该侧壁而抑制该栅极区的边缘侵蚀。

9.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在衬底上形成该穿隧介电区；

在该穿隧介电区上形成该电荷捕获区；以及

氧化该电荷捕获区的侧壁以及该栅极区的侧壁。

10.一种半导体器件，该半导体器件包括：

信道区，该信道区连接漏极区和源极区；

穿隧介电区，其置在该信道区及电荷捕获区之间，其中该电荷捕获区包括紧靠该穿隧介电区的氮化物层；

区块介电区，其置在该电荷捕获区及栅极区之间，其中该区块介电区邻接该栅极区的表面包括被氮化的氧氮化物层，并且其中，该被氮化的氧氮化物层通过在该氮化物层上形成牺牲氧化物层、回蚀刻该牺牲氧化物层和该氮化物层的部分以及氧化该氮化物层的剩余部分所形成；以及

氧化物，其置在该栅极区的侧壁上。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：

该漏极区包括经第一类型掺杂物重掺杂的硅；

该源极区包括经该第一类型掺杂物重掺杂的硅；以及

该信道区包括经第二类型掺杂物适当掺杂的硅。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，该穿隧介电区包括硅氧化物。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，该电荷捕获区包括富硅氮化物层。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，该栅极区包括多晶硅层。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，该区块介电区包括硅氧氮化物层。

16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，该栅极区及该信道区之间的等效介电厚度在该栅极区的中心及边缘是相同的。

17.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

该第一类型掺杂物包括磷或砷；以及

该第二类型掺杂物包括硼。