[发明专利]灭弧功率器件驱动装置及灭弧装置在审
申请号: | 201710029448.X | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN106847582A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 郭桥石 | 申请(专利权)人: | 广州市金矢电子有限公司 |
主分类号: | H01H9/30 | 分类号: | H01H9/30;H01H9/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511447 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 器件 驱动 装置 | ||
1.一种灭弧功率器件驱动装置,所需驱动的功率器件与所需灭弧的机械开关并联,其特征是:其包括第一电压检测开关,所述第一电压检测开关的输入端与所述功率器件两端连接,所述第一电压检测开关串联在所述功率器件的驱动回路中,所述第一电压检测开关在检测到所述功率器件两端存在电位差时导通,驱动信号通过所述第一电压检测开关传递至所述功率器件,驱动所述功率器件导通,所述第一电压检测开关为半控型开关或阈值小于所述功率器件的通态电压的全控型开关。
2.根据权利要求1所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述第一电压检测开关的输入回路、所述第一电压检测开关的输出回路、所述功率器件之间非绝缘隔离。
3.根据权利要求1所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述第一电压检测开关包括第二限流元件、半导体开关,所述功率器件两端的电位差信号通过所述第二限流元件传递至所述半导体开关的控制端,所述半导体开关串联在所述驱动回路中,所述第二限流元件为一电阻或一电容。
4.根据权利要求3所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述半导体开关为晶体管驱动晶闸管等效电路的电路,或晶闸管等效电路,或一晶闸管。
5.根据权利要求4所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述晶闸管等效电路或所述晶闸管串联在所述驱动回路中。
6.根据权利要求5所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述晶闸管等效电路包括一PNP型晶体管、一NPN型晶体管,所述PNP型晶体管的基极与所述NPN型晶体管的集电极连接,所述PNP型晶体管的集电极与所述NPN型晶体管的基极连接,所述PNP型晶体管的发射极、所述NPN型晶体管的发射极串联在所述驱动回路中。
7.根据权利要求1所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:包括第一电容,所述第一电压检测开关的控制端与所述功率器件的第一端连接,所述第一电容通过所述第一电压检测开关与所述功率器件的第二端、第三端形成驱动回路,所述第一电容连接一用于对所述第一电容充电的开关或第一限流元件。
8.根据权利要求7所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述第一电压检测开关对所述第一电容放电至所述第一电压检测开关最小导通电流。
9.根据权利要求7所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述功率器件为一单向晶闸管或一双向晶闸管,还包括一单向导通器件、第一稳压器件,所述第一限流元件、所述单向导通器件、所述第一电容串联而成串联电路,所述串联电路的一端与供电电源连接,所述串联电路的另一端与所述功率器件的第三端连接,所述第一电容通过所述第一电压检测开关、所述功率器件的第二端、所述功率器件的第三端形成驱动回路,所述第一稳压器件与所述第一电容并联或所述第一稳压器件通过所述单向导通器件与所述第一电容并联。
10.根据权利要求9所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述第一电压检测开关为全波电压检测电路。
11.根据权利要求9所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述供电电源由所述功率器件所在的电网非隔离提供。
12.根据权利要求9所述的灭弧功率器件驱动装置,其特征是:所述供电电源为中性线或相对于所述功率器件的第三端的另一相电源。
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