[发明专利]功率元件

说明书

一种功率元件，其中包含：作用层，包含本体区以及漂移区，本体区与漂移区于横向上邻接，并沿通道宽度方向形成PN接面，作用层具有上表面；栅极，形成于上表面上，PN接面位于栅极正下方；源极区，形成于本体区与上表面间的作用层中；漏极区，形成于漂移区与上表面间的作用层中；第一电性连接结构，形成于上表面上，用以电连接源极区；导电层，形成于第一电性连接结构上，且通过第一电性连接结构以电连接源极区；以及第二电性连接结构，形成于上表面上，于纵向上，介于漂移区与导电层之间，用以电连接漂移区与导电层，且第二电性连接结构与漂移区形成肖特基二极管。

技术领域

本发明涉及一种功率元件，特别为其中源极区与漂移区间具有电性连接结构与漂移区所形成肖特基二极管的电性连接的功率元件。

背景技术

现有技术的功率元件，进行导通与不导通的切换操作时，在导通到不导通间，功率元件内部的衍生二极管(Body diode)效应造成切换时间较长，进而造成功率损耗。此外，当功率元件应用于包含上下桥开关的交替式稳压装置(Alternating regulator)时，下桥开关中功率元件从导通转换到不导通时，其中的少数载子(Carrier)还会造成一额外电流，造成操作困扰。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种功率元件，能够避免产生前述的额外电流。

为达上述目的，就其中一个观点言，本发明提供了一种功率元件，其包含：一作用层，包含一本体区以及一漂移区，本体区具有一第一导电型，漂移区具有一第二导电型，本体区与漂移区于一横向上邻接，并沿一通道宽度方向形成一PN接面，作用层具有一上表面；一栅极，形成于上表面上，于一纵向上，PN接面位于栅极正下方；一源极区，具有第二导电型，形成于本体区与上表面间的作用层中；一漏极区，具有第二导电型，形成于漂移区与上表面间的作用层中；一第一电性连接结构，形成于上表面上，用以电连接源极区；一导电层，形成于第一电性连接结构上，且通过第一电性连接结构以电连接源极区；以及一或多个第二电性连接结构，形成于上表面上，于纵向上，介于漂移区与导电层之间，用以电连接漂移区与导电层，且第二电性连接结构与漂移区形成至少一肖特基二极管；其中，于横向上，第一电性连接结构与第二电性连接结构位于栅极的两侧。

一实施例中，多个第二电性连接结构，沿着通道宽度方向分散排列(separatelyarranged)，使得功率元件于正常操作时(包括导通操作与不导通操作)，沿着通道宽度方向，形成相连不切断的一空乏区于漂移区中，且空乏区于上表面下包围环绕多个第二电性连接结构与漂移区的接面。

一实施例中，栅极于漂移区上具有至少一第一缺口，第一缺口内容置第二电性连接结构。

一实施例中，第二电性连接结构为沿着通道宽度方向上相连不切断的连续结构。

一实施例中，功率元件又包含一场氧化层，场氧化层于纵向上，位于漂移区以及栅极之间。

一实施例中，场氧化层，具有对应第二电性连接结构的至少一第二缺口，第二缺口位于漂移区上，以容置第二电性连接结构。

一实施例中，功率元件又包含一第一导电型浅掺杂区，位于场氧化层与漂移区之间，且贴接于场氧化层。

一实施例中，部分栅极形成于上表面以及场氧化层上。

一实施例中，功率元件用于一交替式稳压装置(Alternating regulator)，根据一输入电压以产生一供应电压，交替式稳压装置包含一上桥开关与一下桥开关，下桥开关包含功率元件。

以下通过具体实施例详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1、2显示根据本发明一实施例的功率元件的示意图；

图3、4显示根据本发明一实施例的功率元件的示意图；