[发明专利]一种微型芯片线性负温度系数热敏电阻器的制备方法

权利要求书

1.一种微型芯片线性负温度系数热敏电阻器的制备方法，其特征在于，包括以下的步骤：

步骤1，按比例称取氟橡胶与导电炭黑，用乙酸丁酯溶剂溶解氟橡胶，加入硅烷偶联剂，在搅拌的状态下加入导电炭黑，根据产品TCR值和阻值需要调节配方，直到炭黑均匀分散在氟橡胶溶液中形成类似浆料的高分子复合材料；

步骤2，将步骤1中制备的高分子复合材料制成流延浆料，采用流延成型、通过叠层、等静压、覆金箔、热压及紫外辐射交联工艺制备NTC热敏电阻高分子复合材料基板；

步骤3，将步骤2中制备的NTC热敏电阻高分子复合材料基板依据产品技术要求对热敏电阻高分子复合材料基板进行精确切割，得到微型芯片线性负温度系数热敏电阻器。

2.根据权利要求1所述的一种微型芯片线性负温度系数热敏电阻器的制备方法，其特征在于：所述微型芯片线性负温度系数热敏电阻器的主体功能材料为高分子复合材料，通过改变氟橡胶与导电炭黑的比例调节NTC高分子复合材料的TCR值及电阻率，NTC高分子复合材料采用流延方式成型。

3.根据权利要求2所述的一种微型芯片线性负温度系数热敏电阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤2中所采用的流延浆料需要根据步骤1中的导电炭黑的分散程度的好坏、粘度大小来确定，在流延前经过纱布过滤，过滤完好，说明导电粒子分散好，可以流延；另外，流延浆料的粘度控制在90～150Pa.s。

4.根据权利要求1所述的一种微型芯片线性负温度系数热敏电阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤2中对流延膜可以先叠层、等静压之后，再覆金箔进行热压和交联；也可以直接在金箔上叠层，达到所需厚度再上表面覆金箔进行等静压、热压及交联过程，两种工艺路线都可制备NTC热敏电阻高分子复合材料基板。

5.根据权利要求1所述的一种微型芯片线性负温度系数热敏电阻器的制备方法，其特征在于：所述制备的NTC热敏电阻高分子复合材料基板，采用精密切割方式制备成微型芯片热敏电阻器，切割精度要求±5μm。

6.根据权利要求1所述的一种微型芯片线性负温度系数热敏电阻器的制备方法，其特征在于：所述热敏电阻器的TCR值和R值稳定性好，阻-温特性呈线性变化规律。