[发明专利]感测放大器

权利要求书

1.一种非易失性存储器(NVM)电路，其特征在于，包括：

非易失性(NV)元件，所述非易失性(NV)元件耦合到强制路径晶体管的第一电流电极和感测路径晶体管的第一电流电极，其中所述强制路径晶体管的第二电流电极耦合到第一强制节点且所述感测路径晶体管的第二电流电极耦合到第一感测节点；

参考单元，所述参考单元耦合到参考强制路径晶体管的第一电流电极和参考感测路径晶体管的第一电流电极，其中所述参考强制路径晶体管的第二电流电极耦合到第二强制节点且所述参考感测路径晶体管的第二电流电极耦合到第二感测节点；

第一电容性元件，所述第一电容性元件具有第一电极且具有耦合到放大器级的第一输入端的第二电极；以及

第二电容性元件，所述第二电容性元件具有第一电极且具有耦合到所述放大器级的第二输入端的第二电极，

其中所述NVM电路被配置成：在感测操作的第一阶段期间，将所述第一感测节点耦合到所述第一电容性元件的第一电极且将所述第二感测节点耦合到所述第二电容性元件的第一电极；且在所述感测操作的第二阶段期间，将所述第一感测节点耦合到所述第二电容性元件的第一电极且将所述第二感测节点耦合到所述第一电容性元件的第一电极，

其中所述NVM电路进一步被配置成包括第一电流源；以及

第二电流源，其中所述NVM电路被配置成：在所述第一阶段期间，将所述第一电流源耦合到所述第一强制节点且将所述第二电流源耦合到所述第二强制节点，以及在所述第二阶段期间，将所述第一电流源耦合到所述第二强制节点且将所述第二电流源耦合到所述第一强制节点。

2.根据权利要求1所述的NVM电路，其特征在于，所述第一阶段被配置成将所述第一电容性元件的第一电流电极初始化为表示所述NV元件的存储器状态的电压且将所述第二电容性元件的第一电流电极初始化为表示所述参考单元的参考状态的参考电压。

3.根据权利要求2所述的NVM电路，其特征在于，所述第二阶段被配置成放大表示所述存储器状态的所述电压与表示所述参考状态的所述参考电压之间的电压差分。

4.根据权利要求3所述的NVM电路，其特征在于，所述NVM电路被配置成使得在所述第二阶段的开始之前开始通过所述放大器级进行感测以供所述感测操作。

5.根据前述任一权利要求所述的NVM电路，其特征在于，在所述第二阶段期间，所述NVM电路被配置成减少第一电流源和第二电流源中的差异。

6.根据权利要求1所述的NVM电路，其特征在于，所述NV元件包括第一电阻性元件。

7.一种NVM电路，其特征在于，包括：

非易失性(NV)元件；

第一晶体管，所述第一晶体管耦合在所述NV元件与第一感测节点之间；

参考单元；

第二晶体管，所述第二晶体管耦合在所述参考单元与第二感测节点之间；

第一切换器，所述第一切换器耦合在所述第一感测节点与放大器级的第一输入端处的第一电容性元件之间；

第二切换器，所述第二切换器耦合在所述第二感测节点与所述放大器级的第二输入端处的第二电容性元件之间；

第三切换器，所述第三切换器耦合在所述第一感测节点与所述第二电容性元件之间；以及

第四切换器，所述第四切换器耦合在所述第二感测节点与所述第一电容性元件之间，其中：

所述第一切换器和第二切换器被配置成：在感测操作的第一阶段期间，将所述第一感测节点耦合到所述第一电容性元件且将所述第二感测节点耦合到所述第二电容性元件，且

所述第三切换器和第四切换器被配置成：在所述感测操作的第二阶段期间，将所述第一感测节点耦合到所述第二电容性元件且将所述第二感测节点耦合到所述第一电容性元件；

NVM电路另外包括：第三晶体管，所述第三晶体管耦合在所述NV元件与第一强制节点之间；第四晶体管，所述第四晶体管耦合在所述参考单元与第二强制节点之间；第一电流源；第二电流源；第五切换器，所述第五切换器耦合在所述第三晶体管与所述第一电流源之间；第六切换器，所述第六切换器耦合在所述第四晶体管与所述第二电流源之间；第七切换器，所述第七切换器耦合在所述第一电流源与所述第四晶体管之间；以及第八切换器，所述第八切换器耦合在所述第二电流源与所述第三晶体管之间，其中：所述第五切换器和第六切换器被配置成：在所述第一阶段期间，将所述第一电流源耦合到所述第三晶体管且将所述第二电流源耦合到所述第四晶体管，且所述第七切换器和第八切换器被配置成：在所述第二阶段期间，将所述第一电流源耦合到所述第四晶体管且将所述第二电流源耦合到所述第三晶体管。