[发明专利]一种石斛盆栽种植方法

权利要求书

1.一种石斛盆栽种植方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)栽培容器的选择及处理

选择长、宽、高分别为20-30cm、15-20cm、15-20cm的陶瓷盆作为栽培容器，在其底部开2-3个排水孔；待排水孔开好后，在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石，紧接着，于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有2-4个空穴的栽培基质；

(2)石斛种苗预处理

用清水洗去石斛种苗根部的培养基，洗净为止，洗净后将种苗置于阴凉处，晾至其表面不带有水滴；

(3)种苗移栽

①待洗过的苗根放露天阴凉处晾至发白，把根系分开；

②将石斛种苗的根部放在空穴中固定好位置，然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质；

③再在新铺的栽培基质上铺上刨花、锯末混合物；

(4)管理

①光照：盆栽放在阴凉通风处，在晒太阳时需遮光，夏天切忌阳光直射；

②温度：生长温度维持为25℃-30℃；

③湿度：保持在60％以上；

④浇水：选择水质偏弱酸性的水作为浇灌水，夏秋时2-3天浇一次水，冬季时10-15天浇一次水；

⑤施肥：每年4-10月的生长期内，25-30天施一次肥；

⑥病虫害防治：预防为主，保证盆栽要通风良好。

2.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(1)中排水孔的直径为0.2-0.5cm。

3.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(2)中对石斛种苗根部进行清洗时，要避免损伤其根部与叶部。

4.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(3)中石斛的根部不能种的太深，以刚好把石斛种苗根部埋住为最佳。

5.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行遮光管理时，夏秋遮光50-60％，冬春遮光20-30％。

6.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行通风管理时，夏季将盆栽放在北阳台阴凉处，冬季放在南阳台温暖处。

7.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行浇水管理时，浇灌水具体为PH值为6.0的软水。

8.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行浇水管理时，浇水一定要浇透。

9.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行施肥管理时，肥料选用有机肥，采用薄肥勤施的方法，不能重肥施用。

10.根据权利要求1-9任一项所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述栽培基质为经消毒并被打碎成颗粒状的树皮、锯末和苔藓的混合物。