[发明专利]水溶性量子点的制备方法、水溶性量子点薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710031735.4 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN106811189B 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 聂志文;刘政;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/62;C09K11/70;C09K11/56
代理公司: 44237 深圳中一专利商标事务所 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 水溶性 量子 制备 方法 薄膜
【权利要求书】:

1.一种水溶性量子点的制备方法,包括以下步骤:

在惰性气氛下,将巯基硅烷、烷基偶联剂溶于反应介质中得到第一混合液,在酸性催化介质下进行溶胶凝胶共聚合反应,制备巯基有机硅聚合物;

将所述巯基有机硅聚合物分散在有机酮中,得到巯基有机硅聚合物分散液;在所述巯基有机硅聚合物分散液中加入油溶性量子点,得到第二混合液;将所述第二混合液进行超声处理,所述巯基有机硅聚合物取代油溶性量子点表面原有的配体,并吸附在量子点的表面,直至溶液澄清,纯化后得到水溶性量子点。

2.如权利要求1所述的水溶性量子点的制备方法,其特征在于,所述溶胶凝胶共聚合反应的温度为50-100℃。

3.如权利要求1所述的水溶性量子点的制备方法,其特征在于,所述巯基硅烷和所述烷基偶联剂的质量比为1:5-20;和/或

所述反应介质占所述第一混合液总质量的15-40%。

4.如权利要求1所述的水溶性量子点的制备方法,其特征在于,所述烷基偶联剂为正硅酸乙酯、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、三甲基硅烷、三甲基氯硅烷、甲基三氯硅烷、三甲基一氯硅烷、三甲氧基氢硅烷、二乙基二氯硅烷中的至少一种;和/或

所述巯基硅烷为3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、2-巯基乙基三乙氧基硅烷中的至少一种;和/或

所述酸性催化介质为无机酸催化介质。

5.如权利要求4所述的水溶性量子点的制备方法,其特征在于,所述无机酸催化介质为体积分数为35-40%的盐酸,且所述盐酸占所述第一混合液总体积的0.1-5%。

6.如权利要求1-5任一所述的水溶性量子点的制备方法,其特征在于,所述油溶性量子点与所述巯基有机硅聚合物的质量比为0.05~0.2:1。

7.一种水溶性量子点薄膜的制备方法,包括以下步骤:

提供设置有水溶性薄膜的硬质衬底,以及权利要求1-6任一所述方法制备的水溶性量子点;

将所述水溶性量子点分散在有机酮中,然后与巯基有机硅聚合物混合形成混合溶液,将所述混合溶液沉积在所述硬质衬底的水溶性薄膜表面,进行退火处理,得到含水溶性量子点薄膜的复合模块;

将所述复合模块置于蒸馏水中,去除所述水溶性薄膜后,将得到的量子点复合薄膜进行干燥处理,得到层状的水溶性量子点复合薄膜。

8.如权利要求7所述的水溶性量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述退火处理的方法为:50-100℃条件下烘烤处理0.5-2h;和/或

所述干燥处理的方法为:50-100℃条件下烘烤处理0.5-2h。

9.如权利要求7所述的水溶性量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述水溶性量子点与所述巯基有机硅聚合物的质量比为1:10-200。

10.如权利要求7-9任一所述的水溶性量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述水溶性薄膜为聚(丙烯胺·盐酸)薄膜。

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