[发明专利]可变电阻式存储器及形成方法

权利要求书

1.一种形成可变电阻式存储器的方法，包含有：

形成一第一介电层于一第一电极层上；

形成一第二介电层于该第一介电层上，其中该第二介电层包含一第一凹槽；

形成间隙壁于该第一凹槽的侧壁；

移除该些间隙壁暴露出的部分该第一介电层，因而在该第一介电层中形成一第二凹槽；

填入一电阻材料于该第二凹槽中；

移除该第二介电层以及该些间隙壁；以及

形成一第二电极层于该电阻材料以及该第一介电层上。

2.如权利要求1所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该第一介电层以及该第二介电层具有不同蚀刻选择比。

3.如权利要求2所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该第一介电层以及该第二介电层具有不同材料。

4.如权利要求3所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该第一介电层包含氮化层，且该第二介电层包含氧化层。

5.如权利要求1所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该些间隙壁包含氧化间隙壁。

6.如权利要求1所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该些间隙壁以及该第一介电层具有不同材料。

7.如权利要求6所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该些间隙壁以及该第二介电层具有相同材料。

8.如权利要求7所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该些间隙壁以及该第二介电层以一氧剥离制作工艺移除。

9.如权利要求1所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中以自对准该些间隙壁蚀刻该第一介电层形成该第二凹槽。

10.如权利要求1所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该第二凹槽的一宽度小于一临界尺寸。

11.如权利要求1所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中该电阻材料包含过渡金属氧化物。

12.如权利要求11所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中填入该电阻材料于该第二凹槽中的方法：

顺应地沉积一电阻材料于该第二凹槽中以及该些间隙壁以及该第二介电层上；以及

移除该第二凹槽以外的该电阻材料。

13.一种可变电阻式存储器，包含有：

介电层，设置于一第一电极层上，其中该介电层具有第二凹槽；

电阻材料，设置于该第二凹槽中；以及

第二电极层，设置于该电阻材料上。

14.如权利要求13所述的可变电阻式存储器，其中该介电层包含一氮化层。

15.如权利要求13所述的可变电阻式存储器，还包含：

第一金属，设置于该第一电极层下方并接触该第一电极层，以及第二金属，设置于该第二电极层上方并接触该第二电极层。

16.如权利要求15所述的可变电阻式存储器，其中该第一金属以及该第二金属包含接触插塞。

17.如权利要求16所述的可变电阻式存储器，其中该些接触插塞包含位于一层间介电层或/及一金属层间介电层中。

18.如权利要求13所述的可变电阻式存储器，其中该电阻材料包含过渡金属氧化物。

19.如权利要求18所述的可变电阻式存储器，其中该过渡金属氧化物包含铪氧化物、钽氧化物、钛氧化物或镍氧化物，以及该第一电极层以及该第二电极层包含铂、钽、氮化钽、铜。

20.如权利要求13所述的可变电阻式存储器，其中该电阻材料的一宽度小于一临界尺寸。