[发明专利]用于制造微机械构件的方法

权利要求书

1.用于制造微机械构件(1)的方法，该微机械构件具有衬底(3)和与所述衬底(3)连接并且与所述衬底(3)包围第一空穴(5)的罩(7)，其中，在所述第一空穴(5)中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，

-在第一方法步骤(101)中，在所述衬底(3)中或在所述罩(7)中构造连接第一空穴(5)与所述微机械构件(1)的周围环境(9)的进入开口(11)，其中，

-在第二方法步骤(102)中，设定所述第一空穴(5)中的第一压力和/或第一化学组分，其中，

-在第三方法步骤(103)中，通过借助于激光将能量或热量引入到所述衬底(3)或所述罩(7)的吸收部分中来封闭所述进入开口(11)，其中，

-在第四方法步骤(104)中，第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层在所述衬底(3)的或所述罩(7)的表面上沉积或者生长，其中，

-在第五方法步骤(105)中，将空隙(1601)引入到所述衬底(3)或所述罩(7)中，用于接收第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层，其中，

在第六方法步骤中，第二晶体层或第二无定型层或第二纳米晶体层或第二多晶体层在第一晶体层上或在第一无定型层上或在第一纳米晶体层上或在第一多晶体层上沉积或者生长，其中，

在第七方法步骤中，第三晶体层或第三无定型层或第三纳米晶体层或第三多晶体层在第二晶体层上或在第二无定型层上或在第二纳米晶体层上或在第二多晶体层上沉积或者生长。

2.根据权利要求1所述的用于制造微机械构件(1)的方法，其中，在第八方法步骤中，第四晶体层或第四无定型层或第四纳米晶体层或第四多晶体层在第三晶体层上或在第三无定型层上或在第三纳米晶体层上或在第三多晶体层上沉积或者生长，其中，在第九方法步骤(109)中，至少部分去除

-所述衬底(3)或所述罩(7)和/或

-第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层和/或

-第二晶体层或第二无定型层或第二纳米晶体层或第二多晶体层和/或

-第三晶体层或第三无定型层或第三纳米晶体层或第三多晶体层和/或

-第四晶体层或第四无定型层或第四纳米晶体层或第四多晶体层。

3.根据权利要求2所述的用于制造微机械构件(1)的方法，其中，所述衬底(3)或所述罩(7)在第一枢转步骤中在时间上在所述第五方法步骤(105)之后围绕基本上平行于所述衬底(3)或所述罩(7)的表面走向的轴线枢转基本上180°，其中，所述衬底(3)或所述罩(7)在第二枢转步骤中在时间上在所述第九方法步骤(109)之前围绕基本上平行于所述衬底(3)或所述罩(7)的表面走向的所述轴线枢转基本上180°。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制造微机械构件(1)的方法，其中，在第十方法步骤中，

-所述衬底(3)或所述罩(7)和/或

-第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层和/或

-第二晶体层或第二无定型层或第二纳米晶体层或第二多晶体层和/或

-第三晶体层或第三无定型层或第三纳米晶体层或第三多晶体层和/或

-第四晶体层或第四无定型层或第四纳米晶体层或第四多晶体层

被掺杂。