[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201710032568.5 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108321120B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄晨;王剑屏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构，以将所述半导体衬底分隔为PMOS器件区域和NMOS器件区域；
在所述PMOS器件区域和NMOS器件区域的栅极区域形成高K介质层和位于所述高K介质层上的保护层；
在所述半导体衬底上形成虚拟栅极，所述虚拟栅极至少自PMOS器件区域的栅极区域延伸至NMOS器件区域的栅极区域；
去除所述PMOS器件区域的虚拟栅极，并在该虚拟栅极所在区域形成P型功函数金属层；
去除所述NMOS器件区域的虚拟栅极，并在该虚拟栅极所在区域形成N型功函数金属层，在所述PMOS器件区域和NMOS器件区域的栅极区域形成高K介质层和保护层的步骤包括：
在所述半导体衬底上形成高K介质层和位于所述高K介质层之上的保护层；
对所述高K介质层和保护层进行第一刻蚀，以去除部分高K介质层和保护层，而保留所述高K介质层和保护层中自PMOS器件区域的栅极区域延伸至NMOS器件区域的栅极区域的部分；
对所述高K介质层和保护层进行第二刻蚀，以去除所述PMOS器件区域和NMOS器件区域之间的高K介质层和保护层，而保留所述高K介质层和保护层位于所述PMOS器件区域和NMOS器件区域的栅极区域上的部分。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为TiN。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述NMOS器件的功函数金属层包括铝。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710032568.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
