[发明专利]黄光有机发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件，依次包括衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，电子传输层为非掺杂Firpic超薄层。

2.根据权利要求1所述的一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件，其特征在于，非掺杂Firpic超薄层的厚度为0.5nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件，其特征在于，发光层由主体材料和客体发光材料掺杂构成。

4.根据权利要求1所述的一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件，其特征在于，发光层由CBP和(tbt)₂Ir(acac)掺杂而成。

5.根据权利要求1所述的一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件，其特征在于，空穴注入层材料为MoO₃。

6.根据权利要求1所述的一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件，其特征在于，空穴传输层由NPB材料层和TCTA材料层构成。

7.根据权利要求1所述的一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件，其特征在于，电子注入层TPBi。

8.根据权利要求1所述的一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件的制备方法，其特征在于，步骤如下：

(1)清洗ITO玻璃衬底；

(2)在ITO玻璃衬底上通过真空蒸镀的方法制备空穴注入层；

(3)在空穴注入层上通过真空蒸镀的方法制备空穴传输层；

(4)将步骤(3)处理后的器件放入有机真空腔体里，待蒸镀室气压低于3×10^-4Pa，以的蒸镀速率，以CBP为主体材料，(tbt)₂Ir(acac)作为客体发光材料，进行混合蒸镀，制备发光层，待发光层厚度达到预定后，再以的蒸镀速率进行FIrpic材料的蒸镀，制备电子传输层，待电子传输层厚度达到预定后结束蒸镀；

(5)在电子传输层上通过真空蒸镀的方法制备电子注入层；

(6)在电子注入层上通过真空蒸镀的方法制备阴极。

9.根据权利要求8所述的一种基于FIrpic作为电子传输层的黄光有机发光器件的制备方法，其特征在于，步骤如下：

(1)清洗ITO玻璃衬底：(a)设置好超声仪参数：温度30℃，时间15min，功率70w；(b)用无尘布沾上丙酮擦拭ITO玻璃衬底表面，直到肉眼观察到无颗粒杂质为止；(c)将擦洗干净的ITO玻璃衬底放置在聚四氟乙烯基片架上，再放入装洗涤剂的去离子水的烧杯中进行第一步超声清洗；(d)取出基片架，用丙酮冲洗后再放入装有丙酮的烧杯中进行第二步清洗；(e)用去离子水对ITO玻璃衬底进行第三步超声清洗，(f)取出基片架，用异丙醇冲洗后放入装有异丙醇的烧杯进行第四步清洗，(g)放入烘烤箱里20分钟，(h)将烘干的ITO玻璃衬底取出，放入玻璃皿中，再放入UV装置中进行UV照射15分钟；

(2)制备空穴注入层：将步骤(1)处理后的ITO玻璃衬底放入真空腔里，以MoO₃作为空穴注入层材料；待蒸镀室气压低于1.8×10^-3Pa，开始对其加电流升至20A，以的蒸镀速率得到厚度为5nm的薄膜；

(3)制备空穴传输层：将步骤(2)处理后的ITO玻璃衬底放入真空腔里，以NPB和TCTA作为空穴传输层材料，待蒸镀室气压低于3×10^-4Pa，以的蒸镀速率，待厚度分别达到达到40nm和15nm之后，结束蒸镀；

(4)制备发光层和电子传输层：将步骤(3)处理后的ITO玻璃衬底放入有机真空腔体里，以CBP和(tbt)₂Ir(acac)作为发光层材料进行混合蒸镀，待蒸镀室气压低于3×10^-4Pa，以的蒸镀速率，待厚度达到达到25nm后再以的蒸镀速率进行FIrpic材料的蒸镀，待厚度达到0.5nm后结束蒸镀；

(5)制备电子注入层：将步骤(4)处理后的ITO玻璃衬底放入有机真空腔体里，以TPBi材料作为电子传输层，待蒸镀室气压低于3×10^-4Pa，以的蒸镀速率，待厚度达到35nm结束蒸镀；

(6)制备金属阴极：将步骤(5)处理后的ITO玻璃衬底放入金属真空沉积腔，以Mg和Ag做为金属阴极，待蒸镀室气压低于1.8×10^-3Pa，以的蒸镀速率得到厚度为200nm的金属薄膜。