[发明专利]用于沉积钝化膜的设备和用于沉积钝化膜的方法在审
申请号: | 201710032931.3 | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN107043924A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 李宰承;尹哲;韩宰贤 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/34 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨文娟,臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 沉积 钝化 设备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于沉积钝化膜的设备和一种用于沉积钝化膜的方法,并且更具体地说,涉及一种用于沉积钝化膜的设备和一种用于沉积钝化膜的方法,其在单个腔室中沉积层压有多个材料层的钝化膜。
背景技术
由于例如有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)、有机太阳能电池或有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,有机TFT)等有机电子装置的弱耐水性和弱耐氧气性,所以需要用于形成钝化膜(或包封膜)保护所述装置的方法。此处,需要用于有机电子装置的钝化膜不仅保护装置而且产生柔韧性。
钝化膜通过层压用于防止水分渗透的阻挡膜和用于柔韧性的缓冲膜形成。在相关技术中,为了替代地层压阻挡膜和缓冲膜的多层结构膜,所述膜应该通过在多个腔室中使用多个掩模来沉积,并且因此,局限性在于钝化膜的沉积工艺繁琐并且分解设备尺寸大。
另外,在相关技术中,有机膜用作向钝化膜提供柔韧性的缓冲膜,但局限性在于有机膜的防止水分渗透特性差并且因此膜的质量差,并且阻挡膜(或无机膜)的质量还受有机膜的差的膜质量影响,由此降低钝化膜的总防止水分渗透特性。此外,通过使用有机化合物沉积有机膜,但因为有机化合物含有许多碳(C)原子,这是使腔室受到污染的污染物质。因此,当交替层压无机膜和有机膜时,无机膜和有机膜应在独立腔室中沉积,使例如碳(C)原子等污染物质不混合于无机膜中,并且因此延长沉积钝化膜的加工时间。
[现有技术文献]
(专利文献1)韩国专利第10-0832847号
发明内容
本发明提供一种用于沉积钝化膜的设备和一种用于沉积钝化膜的方法,其能够在单个腔室中沉积层压有多个材料层的钝化膜,并且通过使氧化物层或氮化物层包含CH基团来确保柔韧性,但不降低钝化膜的防止水分渗透特性。
根据一个示范性实施例,用于沉积钝化膜的设备包含:衬底支撑件,通过其支撑衬底;线性沉积模块部件,其包括与第一轴方向平行安置且横越衬底的线性沉积源并且在衬底上沉积钝化膜;气体供应部件,其向线性沉积模块部件选择性并且交替地供应第一沉积气体和第二沉积气体;驱动部件,其在与第一轴方向交叉的第二轴方向移动衬底支撑件或线性沉积模块部件,其中可以通过层压由第一沉积气体沉积的第一材料层和由第二沉积气体沉积的第二材料层形成钝化膜。
第一材料层和第二材料层中的任一个可以是缓冲膜,并且另一个可以是阻挡膜,其中缓冲膜可包含CH基团。
形成缓冲膜的第一沉积气体或第二沉积气体可包含有机-硅化合物并且可以由等离子体活化。
形成缓冲膜的第一沉积气体或第二沉积气体可包含氢化硅气体和烃气并且可以由等离子体活化。
第一材料层可以是氧化物层,并且第二材料层可以是氮化物层。
第一沉积气体可包含第一源材料和第一反应材料,并且第二沉积气体可包含第二源材料和第二反应材料,并且线性沉积源可包含:注入第一源材料或第二源材料的源材料喷嘴;以及注入第一反应材料或第二反应材料的反应材料喷嘴。
源材料喷嘴和反应材料喷嘴可以交替地安置于线性沉积模块部件中。
反应材料喷嘴可以定位于线性沉积模块部件的两端。
线性沉积源可以是原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)源,并且线性沉积模块部件可以由平行于第一轴方向安置的多个线性沉积源形成。
根据另一示范性实施例,用于沉积钝化膜的方法可包含:向线性沉积模块部件供应第一沉积气体用于沉积第一材料层,所述线性沉积模块部件包含与第一轴方向平行安置且横越衬底的线性沉积源(S100);在与第一轴方向交叉的第二轴方向移动衬底或线性沉积模块部件时向衬底上注入第一沉积气体(S200);向线性沉积模块部件供应第二沉积气体用于沉积第二材料层(S300);以及在第二轴方向移动衬底或线性沉积模块部件时在衬底上注入第二沉积气体(S400)。
用于沉积钝化膜的方法可以更包含向线性沉积模块部件供应吹扫气体。
第一材料层和第二材料层中的任一个可包含CH基团。
形成包含CH基团的材料层的第一沉积气体或第二沉积气体可包含有机-硅化合物并且可以由等离子体活化。
形成包含CH基团的材料层的第一沉积气体或第二沉积气体可包含氢化硅气体和烃气并且可以由等离子体活化。
第一材料层可以是氧化物层,并且第二材料层可以是氮化物层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AP系统股份有限公司,未经AP系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710032931.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种二维硫化钨薄膜材料的制备方法
- 下一篇:等离子体化学气相生长装置
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的