[发明专利]一种制备氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法在审
| 申请号： | 201710033061.1 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106906488A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘长海;王芳;陈智栋 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B11/10;C25D9/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氢氧化 修饰 氧化 阳极 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法，其特征在于，采用常温下电沉积的方法，使阳极氧化的二氧化钛光阳极管壁管径内沉积氢氧化钴，提高其光电性能，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)阳极氧化的工作电极采用纯钛片，对电极为碳棒，以含氟化铵，水，乙二醇的有机溶液为电解液，施加电压，阳极氧化二氧化钛。
步骤2)电沉积氢氧化钴采用在酸性硝酸钴水溶液中，以二氧化钛为工作电极，铂片为对电极，银氯化银电极为参比电极，在常温搅拌下施加电压，得到沉积氢氧化钴的二氧化钛光阳极。
2.如权利要求1所述的氢氧化钴修饰二氧化钛阳极的方法，其特征在于：氟化铵有机溶液的浓度为0.3～0.5wt％。
3.如权利要求1所述的氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法，其特征在于：阳极氧化电压为30～60v。
4.如权利要求1所述的氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法，其特征在于：阳极氧化时间为0.2～8小时。
5.如权利要求1所述的氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法，其特征在于：二氧化钛煅烧温度450℃。
6.如权利要求1所述的氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法，其特征在于：硝酸钴溶液的浓度为0.01～0.5mol/L。
7.如权利要求1所述的氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法，其特征在于：电沉积电压为-0.8～-1.2V。
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