[发明专利]电能储存装置及系统在审

专利信息
申请号: 201710033214.2 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN106787228A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 肖开宇;王渝;张雨田;王智慧 申请(专利权)人: 国华自然科学研究院(深圳)有限公司
主分类号: H02J15/00 分类号: H02J15/00;H02J7/00;H01G4/06
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217 代理人: 高占元
地址: 518102 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电能 储存 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种电能储存装置,其特征在于,包括依次层叠的第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层;

所述第一导电磁性层及所述第四导电磁性层用于约束电子逃逸;所述第二导电磁性层及所述第三导电磁性层的磁极化方向垂直于所述第一导电磁性层及所述第四导电磁性层的磁极化方向,所述第二导电磁性层及所述第三导电磁性层用于增加该电能储存装置的电容量;所述第一导电顺磁颗粒层及所述第二导电顺磁颗粒层用于增加极板面积以增加该电能储存装置的电容量;所述介电层用于存储电能;

所述电能储存装置还包括:第一导电层、第二导电层、第三导电层及第四导电层;

所述第一导电层及所述第三导电层分别设置于所述第一导电磁性层、第二导电磁性层及第一导电顺磁颗粒层的两侧;所述第二导电层及所述第四导电层分别设置于所述第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层的两侧。

2.根据权利要求1所述的电能储存装置,其特征在于,还包括绝缘层,所述绝缘层设置于所述第一导电磁性层的上表面。

3.根据权利要求1所述的电能储存装置,其特征在于,所述第一导电磁性层、所述第二导电磁性层、所述第三导电磁性层及所述第四导电磁性层均为单层磁性薄膜或多层磁性薄膜,所述介电层为单层薄层或多层薄层。

4.根据权利要求1所述的电能储存装置,其特征在于,所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层及所述第四导电层均为薄层。

5.根据权利要求1所述的电能储存装置,其特征在于,所述第一导电顺磁颗粒层及所述第二导电顺磁颗粒层均具有顺磁金属颗粒堆积结构的薄层。

6.根据权利要求1所述的电能储存装置,其特征在于,当该电能储存装置被充电时,所述第一导电层及所述第三导电层作为第一电极,所述第二导电层及所述第四导电层作为第二电极,通过所述第一电极及第二电极与一电源耦接。

7.根据权利要求1所述的电能储存装置,其特征在于,当该电能储存装置被放电时,所述第一导电层及所述第三导电层作为第一电极,所述第二导电层及所述第四导电层作为第二电极,通过所述第一电极及第二电极与一负载装置耦接。

8.一种电能储存系统,其特征在于,包括m个如权利要求1-5任一项所述的电能储存装置,m为大于或等于2的正整数;

当m等于2时,第1个电能储存装置的第三导电层与第2个电能储存装置的第一导电层连接,第1个电能储存装置的第四导电层与第2个电能储存装置的第二导电层连接;

当m大于2时,第1个电能储存装置的第三导电层与第2个电能储存装置的第一导电层连接,第1个电能储存装置的第四导电层与第2个电能储存装置的第二导电层连接;第i个电能储存装置的第三导电层与第i+1个电能储存装置的第一导电层连接,第i个电能储存装置的第四导电层与第i+1个电能储存装置的第二导电层连接,第i个电能储存装置的第一导电层与第i-1个电能储存装置的第三导电层连接,第i个电能储存装置的第二导电层与第i-1个电能储存装置的第四导电层连接;第m个电能储存装置的第一导电层与第m-1个电能储存装置的第三导电层连接,第m个电能储存装置的第二导电层与第m-1个电能储存装置的第四导电层连接;其中,i为大于1且小于m的正整数。

9.一种电能储存装置,其特征在于,包括依次层叠的第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层及第三导电磁性层;

所述第一导电磁性层用于约束电子逃逸;所述第二导电磁性层及所述第三导电磁性层的磁极化方向垂直于所述第一导电磁性层的磁极化方向,所述第二导电磁性层及所述第三导电磁性层用于增加该电能储存装置的电容量;所述第一导电顺磁颗粒层及所述第二导电顺磁颗粒层用于增加极板面积以增加该电能储存装置的电容量;所述介电层用于存储电能;

所述电能储存装置还包括:第一导电层、第二导电层、第三导电层及第四导电层;

所述第一导电层及所述第三导电层分别设置于所述第一导电磁性层、第二导电磁性层及第一导电顺磁颗粒层的两侧;所述第二导电层及所述第四导电层分别设置于所述第二导电顺磁颗粒层及第三导电磁性层的两侧。

10.一种电能储存系统,其特征在于,包括n个如权利要求9所述的电能储存装置及第四导电磁性层,所述第四导电磁性层的磁极化方向与所述第一导电磁性层的磁极化方向平行,n为大于或等于2的正整数;

当n等于2时,第1个电能储存装置的第二导电层与第2个电能储存装置的第一导电层连接,第1个电能储存装置的第四导电层与第2个电能储存装置的第三导电层连接,第2个电能储存装置的第三导电磁性层与所述第四导电磁性层连接;

当n大于2时,第1个电能储存装置的第二导电层与第2个电能储存装置的第一导电层连接,第1个电能储存装置的第四导电层与第2个电能储存装置的第三导电层连接;第j个电能储存装置的第二导电层与第j+1个电能储存装置的第一导电层连接,第j个电能储存装置的第四导电层与第j+1个电能储存装置的第三导电层连接,第j个电能储存装置的第一导电层与第j-1个电能储存装置的第二导电层连接,第j个电能储存装置的第三导电层与第j-1个电能储存装置的第四导电层连接;第n个电能储存装置的第一导电层与第n-1个电能储存装置的第二导电层连接,第n个电能储存装置的第三导电层与第n-1个电能储存装置的第四导电层连接,第n个电能储存装置的第三导电磁性层与所述第四导电磁性层连接;其中,j为大于1且小于n的正整数。

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