[发明专利]具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管有效
申请号: | 201710033229.9 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN106783993B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 杜江锋;蒋知广;白智元;于奇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/772 | 分类号: | H01L29/772;H01L29/06 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 衬底 复合 介质 结构 氮化 镓异质结 场效应 | ||
1.一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管,包括衬底(307),设于所述衬底(307)上的氮化镓缓冲层(306),设于所述氮化镓缓冲层(306)上的氮化镓沟道层(305)以及设于所述氮化镓沟道层(305)上的氮化镓铝势垒层(304),所述氮化镓铝势垒层(304)上形成有源极(301)、漏极(302)和栅极(303),其特征在于,所述衬底(307)内设置有复合介质层,所述复合介质层的顶面与氮化镓缓冲层(306)的底面相接触;所述复合介质层由相互接触设置的高介电常数介质区域(309)和低介电常数介质区域(310)组成,所述高介电常数介质区域(309)和低介电常数介质区域(310)形成接触面的方向包括与氮化镓沟道层(305)相垂直的方向;所述复合介质层位于与氮化镓铝势垒层(304)上栅极(303)和漏极(302)之间的区域相对应的衬底(307)中。
2.根据权利要求1所述的一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管,其特征在于,定义高介电常数介质区域(309)和低介电常数介质区域(310)的所用材料的介电常数分别为Kh和Kl,则Kh和Kl的关系满足:2≤2Kl≤Kh≤200。
3.根据权利要求1所 述的一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管,其特征在于,高介电常数介质区域(309)或者低介电常数介质区域(310)的数量为一个、两个或者多个。
4.根据权利要求3所述的一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管,其特征在于,多个高介电常数介质区域(309)所用材料的介电常数相同或者不同。
5.根据权利要求3所述的一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管,其特征在于,多个低介电常数介质区域(310)所用材料的介电常数相同或者不同。
6.根据权利要求4所述的一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管,其特征在于,多个不同材料的高介电常数介质区域(309)之间相互间隔设置或者紧密接触设置。
7.根据权利要求5所述的一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管,其特征在于,多个不同材料的低介电常数介质区域(310)之间相互间隔设置或者紧密接触设置。
8.根据权利要求1至7任一项所述的一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管,其特征在于,还包括设置于源极(301)与栅极(303)之间以及栅极(303)与漏极(302)之间的钝化层(308)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710033229.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管
- 下一篇:用于处理废气的分区的催化剂
- 同类专利
- 专利分类