[发明专利]化学传感器及其制造方法在审
申请号: | 201710035079.5 | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN106645341A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 连健宏;萧夏彩;刘竹育 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种化学传感器,其具有一感测区,其特征在于,该化学传感器包含:
一基材,该基材具有一基材表面与至少一沟槽,该至少一沟槽位于该基材表面,且该至少一沟槽延伸至该感测区;
至少一电极,位于该至少一沟槽中,该至少一电极的厚度小于或等于该至少一沟槽的深度,且该至少一电极延伸至该感测区;以及
至少一反应层,覆盖位于该感测区的该至少一电极,该至少一反应层包含一反应材料与一磷酸盐缓冲材料,该磷酸盐缓冲材料的磷酸二氢根体积摩尔浓度为0.22M至0.28M,且该磷酸盐缓冲材料的pH值为7.0。
2.根据权利要求1所述的化学传感器,其特征在于,该反应材料覆盖该至少一电极,该磷酸盐缓冲材料覆盖该反应材料。
3.根据权利要求1所述的化学传感器,其特征在于,该磷酸盐缓冲材料覆盖该至少一电极,该反应材料覆盖该磷酸盐缓冲材料。
4.根据权利要求1所述的化学传感器,其特征在于,该反应材料与该磷酸盐缓冲材料彼此混合。
5.根据权利要求1所述的化学传感器,其特征在于,该至少一沟槽延伸并通过该感测区,且该至少一电极延伸并通过该感测区。
6.根据权利要求1所述的化学传感器,其特征在于,更包含一盖板与一绝缘层,该盖板位于该基材表面,该绝缘层位于该盖板与该基材之间。
7.一种化学传感器的制造方法,该化学传感器具有一感测区,其特征在于,该方法包含:
提供一基材;
形成至少一沟槽于该基材的一基材表面,并延伸至该感测区;
形成至少一电极于该至少一沟槽中,其中该至少一电极的厚度小于或等于该至少一沟槽的深度,且该至少一电极延伸至该感测区;以及
形成一反应层于该感测区内并覆盖该至少一电极,该反应层包含一反应材料与一磷酸盐缓冲材料,该磷酸盐缓冲材料的磷酸二氢根体积摩尔浓度为0.22M至0.28M,且该磷酸盐缓冲材料的pH值为7.0。
8.根据权利要求7所述的化学传感器的制造方法,其特征在于,形成该反应层于该感测区内并覆盖该至少一电极的步骤包含:
设置该反应材料于该感测区内并覆盖该至少一电极;以及
设置该磷酸盐缓冲材料于该感测区内并覆盖该反应材料。
9.根据权利要求7所述的化学传感器的制造方法,其特征在于,形成该反应层于该感测区内并覆盖该至少一电极的步骤包含:
设置该磷酸盐缓冲材料于该感测区内并覆盖该至少一电极;以及
设置该反应材料于该感测区内并覆盖该磷酸盐缓冲材料。
10.根据权利要求7所述的化学传感器的制造方法,其特征在于,形成该反应层于该感测区内并覆盖该至少一电极的步骤包含:
混合该反应材料与该磷酸盐缓冲材料以形成一混合物;以及
设置该混合物于该感测区内并覆盖该至少一电极。
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