[发明专利]一种聚酰亚胺层的去除方法及半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201710035687.6 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108321085B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 詹扬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚酰亚胺 去除 方法 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体晶圆表面的聚酰亚胺层的去除方法，其特征在于，包括：
对所述聚酰亚胺层进行预处理，包括：对所述聚酰亚胺层进行离子轰击，以使所述聚酰亚胺层表面产生断链；使用双氧水清洗所述聚酰亚胺层，以使所述聚酰亚胺层容易被改性处理试剂溶解；
使用所述改性处理试剂对所述聚酰亚胺层进行改性处理，以提高所述聚酰亚胺层灰化刻蚀速率；
通过灰化刻蚀去除所述聚酰亚胺层。
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层的去除方法，其特征在于，采用氩等离子体对所述聚酰亚胺层进行离子轰击。
3.根据权利要求2所述的聚酰亚胺层的去除方法，其特征在于，采用氩等离子体对所述聚酰亚胺层进行离子轰击时轰击时间为1分钟以上。
4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层的去除方法，其特征在于，使用双氧水清洗所述聚酰亚胺层时，所述双氧水的温度为85℃以上。
5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层的去除方法，其特征在于，使用双氧水清洗所述聚酰亚胺层时，清洗时间为3分钟～5分钟。
6.根据权利要求1-5中的任意一项所述的聚酰亚胺层的去除方法，其特征在于，所述改性处理试剂为EKC试剂。
7.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆表面形成聚酰亚胺层；
检测所述聚酰亚胺层是否符合要求，
如果不符合则采用如权利要求1-6中的任意一项所述聚酰亚胺层的去除方法去除所述聚酰亚胺层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述聚酰亚胺层用作所述半导体晶圆表面铝焊盘的阻挡层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
