[发明专利]一种磁场均匀增强的近场光学天线

权利要求书

1.一种磁场均匀增强的近场光学天线，包括介质层及设置于介质层上的金属结构，其特征在于：所述的金属结构为回字型结构，该回字型结构包括间断式矩形内腔和间断式矩形外腔，其中间断式矩形内腔与间断式矩形外腔之间的间距为35nm，所述的间断式矩形内腔由四个第一L形纳米金属体和四个第一矩形纳米金属体组成，其中四个第一L形纳米金属体构成间断式矩形内腔的四个边角，该四个第一L形纳米金属体的短边水平相对且长边竖直相对，四个第一矩形纳米金属体分别对应设置于第一L形纳米金属体相对的长边及短边之间，该第一矩形纳米金属体与两侧相邻的第一L形纳米金属体之间的间距为25nm，所述的间断式矩形外腔由四个第二L形纳米金属体和八个第二矩形纳米金属体组成，其中四个第二L形纳米金属体构成间断式矩形外腔的四个边角，该四个第二L形纳米金属体的短边水平相对且长边竖直相对，八个第二矩形纳米金属体分别对应设置于第二L形纳米金属体相对的长边及短边之间，该第二矩形纳米金属体与相邻的第二L形纳米金属体之间的间距及相邻的第二矩形纳米金属体之间的间距均为25nm，所述的介质层为MgF介质层，该介质层的尺寸为500nm*500nm*100nm，所述的第一L形纳米金属体、第一矩形纳米金属体、第二L形纳米金属体和第二矩形纳米金属体的材质均为银。

2.根据权利要求1所述的磁场均匀增强的近场光学天线，其特征在于：所述的第一L形纳米金属体的长边尺寸为80nm*30nm*30nm，第一L形纳米金属体的短边尺寸为50nm*30nm*30nm，第一矩形纳米金属体的尺寸为100nm*30nm*30nm，水平设置的第一矩形纳米金属体分别与相应的第一L形纳米金属体的短边相对，竖直设置的第一矩形纳米金属体分别与相应的第一L形纳米金属体的长边相对。

3.根据权利要求1所述的磁场均匀增强的近场光学天线，其特征在于：所述的第二L形纳米金属体的长边尺寸为80nm*30nm*30nm，第二L形纳米金属体的短边尺寸为50nm*30nm*30nm，第二矩形纳米金属体的尺寸为305/3nm*30nm*30nm，水平设置的第二矩形纳米金属体分别两两水平相对，该两两水平相对的第二矩形纳米金属体分别与相应的第二L形纳米金属体的短边相对，竖直设置的第二矩形纳米金属体分别两两竖直相对，该两两竖直相对的第二矩形纳米金属体分别与相应的第二L形纳米金属体的长边相对。