[发明专利]一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构

权利要求书

1.一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立焊盘、B独立焊盘、C独立焊盘、公共焊盘和三角形结构绿漆；所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片均为垂直结构的芯片，所述基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共焊盘并于放置所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片的区域分别设置有所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘，所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘呈“品”字结构，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片通过导电底胶分别连接在所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘上，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片表面电极分别通过一根所述键合线连接到所述公共焊盘上，所述基板背面中部设置有三角形结构绿漆。

2.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述基板的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合。

3.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述基板正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。

4.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述导电孔的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。