[发明专利]具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法

权利要求书

1.一种用于存储数据的存储装置，包括：

存储器阵列，被配置为包括多个存储器单元；

控制器，被配置为经由多个字线连接所述存储器阵列；

接口，被配置为经由多个位线连接所述存储器阵列，并且检测存储器单元在存储器读取操作期间处于高电阻状态还是低电阻状态；以及

限制器，被配置为连接所述多个位线，以及当每个存储器单元在高电阻状态下被读取时将电压限制为预定阈值水平，

其中，所述接口包括连接到所述限制器的置位/复位驱动器，

其中，所述置位/复位驱动器在存储器读取操作期间被禁用，并且

其中，当所述接口检测到存储器单元在低电阻状态下时，所述限制器不限制所述电压。

2.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述限制器包括连接到开关的二极管，所述开关在所述位线和所述二极管之间。

3.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述限制器包括连接到开关的半导体电流宿，所述开关在所述位线和所述半导体电流宿之间。

4.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述限制器包括连接到开关的噪声免疫半导体电流宿，所述开关在所述位线和所述噪声免疫半导体电流宿之间。

5.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述限制器包括连接到开关的电阻型补偿装置，所述开关在所述位线和所述电阻型补偿装置之间。

6.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述限制器连接在所述位线和地之间。

7.如权利要求6所述的存储装置，还包括连接在开关和所述地之间的二极管，所述开关被连接在所述位线和所述二极管之间，所述二极管正向偏压到所述地。

8.如权利要求6所述的存储装置，包括：

半导体电流宿，连接在开关和所述地之间，所述开关被连接在所述位线和所述半导体电流宿之间；以及

运算放大器，连接到所述半导体电流宿。

9.如权利要求6所述的存储装置，还包括连接在开关和所述地之间的噪声免疫半导体电流宿，所述开关被连接在所述位线和所述噪声免疫半导体电流宿之间。

10.如权利要求6所述的存储装置，包括：

热敏电阻器，连接在开关和所述地之间，所述开关被连接在所述位线和所述热敏电阻器之间。